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991.
992.
针对红外成像制导半实物仿真系统对图像转换器的需求,基于物体吸收能量后温度升高而产生热辐射的原理,设计并制备出一种新型金黑可见光红外图像转换薄膜,建立了薄膜辐射的物理和数学模型,求解了薄膜一维和二维热传导的定解问题,分析了黑体薄膜时间和空间特性,提出了用周期性网格结构黑体薄膜提高转换薄膜的空间分辨率的方案,制备出的转换薄膜达到的技术指标为:薄膜尺寸52mm,像元尺寸140μm×140μm,像元间距29μm,时间常数6ms,空间分辨率6lpmm.
关键词:
金黑
周期性网格结构
薄膜 相似文献
993.
一阶准相位匹配周期性极化铌酸锂倍频产生18 mW绿光连续输出 总被引:3,自引:1,他引:2
通过高压脉冲电场极化 ,制备了周期为 6 5 μm、长为 12mm、宽为 10mm、厚为 0 5mm的一阶准相位匹配周期性极化铌酸锂 ;由 1 1W连续 1 0 6 μmNd∶YAG激光器抽运 ,在 5°时产生了约 18mW、0 .5 32 μm的倍频连续绿光 ,其对应的二次谐波转换效率约为 1 6 % ,二次谐波的归一化转换效率约为 1 5 %cm- 1 W- 1 ,相当于 79%的周期性极化铌酸锂的理想非线性系数。测量了抽运光功率与倍频光功率的关系 相似文献
994.
The authors study homogenization of some nonlinear partial differential equations of theform-div(a(hx,h~2x,Du_h))=f,where a is periodic in the first two arguments and monotonein the third.In particular the case where a satisfies degenerated structure conditions is studied.It is proved that u_h converges weakly in W_0~(1,1)(Ω)to the unique solution of a limit problem ash→∞.Moreover,explicit expressions for the limit problem are obtained. 相似文献
995.
996.
997.
ICRF加热的等离子体反应率计算 总被引:1,自引:1,他引:0
盛光昭 《核聚变与等离子体物理》1989,9(2):86-90
本文介绍了ICRF加热的等离子体聚变反应率的计算,并对有关的<σV>-(rf)表达式作了修正。计算结果表明,ICRF等离子体的高能尾部能使反应率增加,有助于把等离子体加热到点火,节省所需要的加热功率。但<σV>_(rf)只在低温、低密度区域增加显著,<σV>_(rf)/<σV>_m随等离子体温度增加而减小,当T=10keV时<σV>_(rf)/<σV>_m大约等于3,当T=20keV时<σV>_(rf)/<σV>_m大约等于1。 相似文献
998.
通过分析大量的历史文献材料,总结了湖北省水旱灾害的发生具有严重性、区域性、季节性、持续性、连锁性、周期性和人为性的特点.分析了水旱灾害的发生时间变化规律和区域差异,特别是严重水旱灾害的时空变化规律,认为湖北省大旱与大涝常以交替的形式出现,其中水灾明显多于旱灾,同时水旱灾害发生的次数有不断增加的趋势,20世纪以来湖北省已进入大旱、大涝的集中多发期. 相似文献
999.
1000.
Growth of a Novel Periodic Structure of SiC/AIN Multilayers by Low Pressure Chemical Vapour Deposition
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A novel lO-period SiC/A1N multilayered structure with a SiC cap layer is prepared by low pressure chemical vapour deposition (LPCVD). The structure with total film thickness of about 1.45~m is deposited on a Si (111) substrate and shows good surface morphology with a smaller rms surface roughness of f.3 nm. According to the secondary ion mass spectroscopy results, good interface of the 10 period SiC/A1N structure and periodic changes of depth profiles of C, Si, A1, N components are obtained by controlling the growth procedure. The structure exhibits the peak reflectivity close to 30% near the wavelength of 322 nm. To the best of our knowledge, this is the first report of growth of the SiC/AIN periodic structure using the home-made LPCVD system. 相似文献