采用B样条计算量子点量子阱中氢原子能谱

介绍了一种被称为量子点量子阱 (Quantum- dot quantum wells简称 QDQWs)的新型半导体材料 ,并为其建立了合适的计算模型 .再以 B样条为展开基函数 ,采用变分法对其进行了计算 ,得到了量子点量子阱中氢原子能谱 .计算结果表明 ,当 QDQW的半径 (或核半径 )增大时 ,给体能级随之减小并逐步陷入小阱深度内 .因此只要适当地改变这种新材料的周期性 ,则施主粒子的波函数、能量等性质就可以人为控制 ,从而可进一步控制半导体材料的光学性能 .同时 ,B样条基函数对于计算局限在有限范围内量子体系的波函数和能量是十分有效的     

下一代直线对撞机失谐结构尾场的精确计算—盘荷波导电磁场的研究

利用变分法研究了周期性盘荷波导中零极模、二极模及更高极模式的电磁场特性.该方法考虑了栏片的圆弧,对真实结构没有做任何近似,是一种高精度方法,计算表明该方法的结果与实验测量值基本符合,与其它程序相比有很高的计算精度.这为下一步精确研究下一代直线对撞机失谐结构的尾场提供了一个很好的方法与工具.     

Dawson结构硫钼杂多阴离子的电子结构

使用第一原理密度泛函理论中的离散变分方法（DFT-DVM）对（S2Mo18O62）4-的电子结构进行了理论计算,并与Keggin结构（SMo12O40）2-的电子结构作了比较分析,结果表明,（S2Mo18O62）中的电子离域地分布在整个阴离子骨架中,但极位和赤道位原子的电荷分布有明显差异。端氧与Mo之间的键均较强,中心氧与Mo之间形成的键最弱。（S2Mo18O62）4-的化学行为的活性中心是赤道位钼Moe、极位端氧Opt、极位共顶桥氧Opea、赤道位端氧Oet和赤道位共边桥氧Oeb。与（SMo12O40）2-相比,（S2Mo18O62）4-的稳定性和氧化性均较弱。但在两种类型的硫钼杂多阴离子中,Mo对其氧化性的产生起了重要的作用。     

从提包挂环说能量法

从提包挂环的形状以及在使用过程中位置的变化出发,说明了任何物体系统都有向能量最低 状态转变的趋势. 借助旁证阐述了能量状态转换的条件,引出了物体的变形能和势能的概念, 进一步引出了最小势能原理和能量法,介绍了在这方面有贡献的中外科学家. 最后讨论了几 种提包挂环的形式.     

基于曲率滤波和梯度变换的图像增强

针对基于梯度变换的图像增强算法抗噪声干扰能力差的问题,引入曲率滤波理论,提出了基于高斯曲率滤波和梯度变换的图像增强算法.该算法通过对图像梯度场进行非线性变换来增强图像对比度,通过构造能量泛函,采用梯度下降法从变换后的梯度场重构出增强后的图像,并利用高斯曲率滤波对梯度下降法迭代过程中的重构图像及其各阶偏微分进行平滑,有效解决了图像重构过程中的噪声非线性放大和扩散问题,同时保留了丰富的细节信息.采用多组边缘模糊图像进行仿真实验,实验结果表明该算法在增强图像边缘对比度的同时,能够有效抑制噪声.     

强激光束在等离子体通道中传输的变分法研究

关键词：     

变分方法研究ZnO量子点中激子的基态特性

ZnO是一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温激子束缚能高达60meV,远大于室温热离化能(26meV),因此ZnO是适于室温或更高温度下使用的高效紫外光电材料。ZnO半导体量子点材料与体材料相比具有崭新的光电特性,特别在紫外激光器件方面,与ZnO的激子特性密切相关,因此理论上对ZnO量子点中激子的基态特性进行研究就显得十分必要。采用有效质量近似(EMA)方法,提出新的比较简单的尝试波函数,对ZnO量子点中激子的基态特性进行了计算。计算结果与实验结果基本吻合,说明我们的计算结果比较真实、有效。对变分参数K_e、K_h,归一化常数N_e、N_h以及波函数ψ随粒径变化关系进行了计算。计算结果表明,当量子点半径较小(r≤4.0a_B)时,激子的波函数ψ变化非常迅速,而由于此时量子点具有很大的比表面积,因此量子点所处的环境、体内的缺陷、杂质会对其产生非常强烈的影响,同时其表面(界面)的介质会对其基态特性产生影响,因此对量子点进行有效的修饰与掺杂以减少其表面缺陷及表面悬键,减少无辐射复合与界面发射是非常必要的。     

宽频带熔锥型耦合器的变化分析

利用变分法对腐蚀熔锥型非对称单模光纤耦合器的耦合特性进行了分析.文中根据耦合器的光纤参数及截面尺寸,用有效平行波导模型,对自制的弱融型熔锥耦合器的转换功率随波长变化曲线进行了计算.结果表明,不仅宽频带特性的理论曲线与实验符合得较好,而且耦合器的耦合特性对二光纤的芯径比及熔锥长度的变化十分灵敏,这也与实验相符.     

2+1维SU(2)格点胶球质量的变分计算

本文对具有严格基态解和正确经典连续极限的格点规范哈密顿量,采用变分法,计算了2+1维SU(2)规范群的胶球质量,得到在1.3≤1/g²≤7范围内,标度行为是am=2.28g²,这与弱耦合展开及另一没有正确连续极限的哈密顿量的结果一致.     

含有非谐振势系统能谱的研究

非谐振势V(x)=λx4有着广泛的应用,对其能谱的研究有着重要的意义.采用超对称量子力学和变分法,求解含有非谐振势系统的能谱 关键词： 超对称量子力学 变分法 非谐振势