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对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
分析以以半导体光放大器(SOA)为基础的对称马赫-曾德尔干涉仪(MZI)解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播(CPMZ)与同向传播(TPMZ)两种工作模式下的开关特性。研究表明:控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小,是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时,如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间,控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化;当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时,即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间,峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时,控制脉冲应尽可能窄,且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比,而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。 相似文献
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1引言分离流动经常出现在许多实际流动中,对流体机械和飞行器产生重大影响。但由于这种流动具有方向性,变化快,给测量带来了困难。到目前为止,主要有以下三种测量方法:山激光多普勒测速治(*D川;(2)飞行热线(F坊In含*。卜w让e);O)脉冲热线技术(PulsedAVire。‘脉冲热线”比“激光多普勒测速仪”价格低一个数量级,操作简单,是一种比较理想的测量技术。其原理最初由Baner山提出,随后经过BradburyP],Eaton问,Castro*和Fernholz问等人不断发展与完善,目前国外正推广应用在分离流动的研究中。但在国内,尚不多见其… 相似文献
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本文针对高压陡脉冲测量过程中由于对地电容引起的波形畸变,介绍了一种电感补偿方法,这种补偿回路简便、可靠,可使测量系统的方波响应得到明显的改善。 相似文献
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176.
两步相移实现投影栅相位测量轮廓术 总被引:9,自引:2,他引:7
提出一种新的投影栅相位测量方法--两步相移法。该方法只需两幅相移条纹图,因此计算量小,速度快。给出了实验及计算结果,并同四步相移法进行了比较,证明了该方法具有较高的精度。 相似文献
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在一些测量密度的实验题目中,在所给的器材中常会出现水.实际上这类题目能否顺利解决的关键,就是能否将水巧妙地用到实验中来,帮助我们解决遇到的困难.下面介绍几个用水帮助完成密度测量的实验题. 相似文献
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本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
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氩气介质阻挡放电的发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文使用水电极介质阻挡放电装置,采用光学方法测量了氩气介质阻挡放电的发光特性。发现在驱动电压处于一定的范围内时,放电处于丝极模式,在驱动电压的每半周期内,无论是放电的总光还是单个微通道的放电发光均只有一次脉冲,单个微放电的时间为2μs,而总放电时间为2.4μs,这表明在氩气的丝极模式中,各单丝产生与熄灭的时间极其接近,各个放电丝之间有着很好的时间相关性。最后将本文的结果与空气中介质阻挡放电丝极模式的发光特性相比较,空气放电在每半周内的总光信号由多个脉冲组成,而每一个脉冲对应多个放电丝,因而氩气中各个放电微通道之间的时间相关性远强于空气的情况。 相似文献