极紫外波段微通道板光子计数探测器

研究了一种极紫外波段微通道板（MCP）光子计数探测器,用于探测地球等离子体层中极微弱的30.4 nm辐射。通过改变电压、温度等参数对比了该微通道板光子计数探测器的暗噪声和分辨率的变化。结果表明：微通道板探测器的暗噪声主要来源于残余气体离子反馈和热噪声,因此要降低探测器暗噪声,应对微通道进行彻底的预处理除气,并尽量避免探测器在高温状态下工作,常温下经过预处理的微通道板光子探测系统的暗计数率仅为0.34 count/（s.cm2）。系统的分辨率主要受电压和计数率的影响,受温度影响不明显。由于不同的微通道板有不同的耐压范围,过小或过大的电压或计数率都会造成系统分辨率的降低。     

美发现高效太阳能电池材料的双层结构

美国布鲁克海文国家实验室研究了有机光电材料—PCDTBT,发现了不寻常的双层薄片结构。PCDTBT属于聚咔唑共轭聚合物,可使电子在周围移动,既可以发出电子,也可以吸收电子,还能把太阳光转换为电力,效率高达7．2％,     

光纤维：高速电子被植入纤维中

一种将掺杂半导体材料精确地沉积在微结构光纤（MOF）中的技术正在走向成熟——通过将GHz带宽的光电探测器直接植入光纤可以证实这一技术。这一成果是美国宾夕法尼亚州立大学帕克分校和英国南安普敦大学长期合作的结晶。     

Molecular Frame Photoemission： Probe of the Photoionization Dynamics for Molecules in the Gas Phase

Molecular frame photoemission is a very sensitive probe of the photoionization （PI） dynamics of molecules. This paper reports a comparative study of non-resonant and resonant photoionization of D2 induced by VUV circularly polarized synchrotron radiation at SOLEIL at the level of the molecular frame photoelectron angular distributions （MFPADs）. We use the vector correlation method which combines imaging and time-of-flight resolved electron-ion coincidence techniques, and a generalized formalism for the expression of the Ⅰ（χ, θe, Фe） MFPADs, where χ is the orientation of the molecular axis with respect to the light quantization axis and （θe, Фe） the electron emission direction in the molecular frame. Selected MFPADs for a molecule aligned parallel or perpendicular to linearly polarized light, or perpendicular to the propagation axis of circularly polarized light, are presented for dissociative photoionization （DPI） of D2 at two photon excitation energies, hv=19 eV, where direct PI is the only channel opened, and hv=32.5 eV, i.e. in the region involving resonant excitation of Q1 and Q2 doubly excited state series. We discuss in particular the properties of the circular dichroism characterizing photoemission in the molecular frame for direct and resonant PI. In the latter case, a remarkable behavior is observed which may be attributed to the interference occurring between undistinguishable autoionization decay channels.     

二维六角晶格的光电导

研究半满填充情形二维六角晶格模型的跃迁积分在交错磁场调制下的动能和光电导．交错磁场导致了四能量分支的四子格点系统的产生,并产生了光电导对磁流量子新的依赖特性．具体讨论了平均动能．Drude weight和光电导对磁流量子的依赖关系．     

不同变掺杂结构GaAs光电阴极的光谱特性分析

为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到了体现变掺杂结构贡献程度的变掺杂系数K值。研究发现,同一阴极材料对不同波段的入射光,其掺杂结构产生的作用效果各不相同。同时,不同掺杂结构光电阴极对于相同波段范围内的入射光,其作用效果也不相同。产生这些差别的根本原因,是由于不同掺杂结构下,材料中内建电场的位置和强度不同而造成的。该研究为评判不同掺杂方式下光电阴极的结构性能提供了有效的分析手段,对研究阴极变掺杂结构的优化设计具有非常重要的应用价值。     

热处理工艺对室温制备ZnO:Al薄膜结构与光电性能的影响

采用室温溅射加后续退火工艺制备了ZnO∶ Al透明导电薄膜.研究了热处理工艺对薄膜微观结构和光电性能的影响.研究表明:退火有助于减小Al~(3+)对Zn~(2+)的取代造成的晶格畸变,消除应力,促进晶粒长大,有效提高电子浓度和迁移率,降低电阻率;当溅射功率为80 W、退火温度为320 ℃时,薄膜的电阻率可低至8.6×10~(-4) Ω·cm;退火气氛对薄膜的导电性能有较大影响,真空退火可使吸附氧脱附,大大降低薄膜的方块电阻.而退火温度和退火气氛均对ZnO∶ Al薄膜的透光率没有明显影响,薄膜的透光率在86;以上.     

傅里叶变换红外光谱仪探测器仪器响应函数研究

由于傅里叶变换红外光谱仪探测器在各个波段的仪器响应不相同,在应用过程中无论是利用光谱的绝对强度还是相对强度,都需要应用标准黑体对仪器进行定标,找出仪器响应函数。该文对加拿大BOMAN公司MR154型傅里叶变换红外光谱议配带的两个红外探测器(锑化铟InSb、碲镉汞MCT)的仪器响应函数进行了研究,并找出了它们随黑体温度(辐射亮度)的变化规律。该规律对傅里叶变换红外光谱仪的定标和保证所测辐射谱的正确性有重要意义。     

双维位置灵敏CsI(Tl)闪烁探测器

介绍了一种双维位置灵敏CsI(Tl)闪烁探测器, 利用GEANT4对它进行了蒙特卡罗模拟, 得到了RIB 17N的位置分布谱及探测器的空间位置分辨,　模拟结果与实验测量值很好地吻合。给出了影响探测器分辨的主要因素及改进方案。A two dimensional position sensitive CsI(Tl) scintillation detector readout with PSPMT was introduced. The performance of detector was simulated by using Monte Carlo code GEANT4. The position spectrum of RIB 17N and the detector’s position resolution were obtained, and the simulation results accorded with the experimental ones. The main factors, which can affect performance of the detector, and some planned detector improvements were presented.     

InGaAs/Si键合界面a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响

为从根本上阻断InGaAs/Si之间的失配晶格,获得低噪声的InGaAs/Si雪崩光电二极管,理论上在InGaAs/Si键合界面插入超薄a-Si键合层,彻底隔断键合界面异质晶格,同时保证InGaAs吸收层和Si倍增层超高的晶体质量和良好的电学传输.模拟了a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能影响.由于...