Non-Achievability of Metal-Insulator Transition in Two-Dimensional Systems

We present a simple demonstration of the nonfeasibility of metal-insulator transition in an exactly two-dimensional （2D） system. The Hartree-Fock potential in the 3D system is suitably modified and presented for the 2D case. The many body effects are included in the screening function, and binding energies of a donor are obtained as a function of impurity concentration so as to find out the possible way leading metal-insulator transition in the 2D system. While solving for the binding energy for a shallow donor in an isolated well of a GaAs/Ga1-x Als As superlattice system within the effective mass approximation, it leads to unphysical results for higher concentrations. It shows that the phase transition, the bound electron entering into the conduction band whereby （H）min=0, is not possible beyond this concentration. The results suggest thai a phase transition is impossible in 213 systems, supporting the scaling theory of localization. The results are compared with the existing data available and discussed in the light of existing literature.     

微粒大小及其分布的光电复合检测

叙述一种新的光电复合测量技术，它集ＣＣＤ摄像显示，微机信息采集与处理，光不投影放大，显微镜目视判读为一体，可对微粒大小及其空间分布实行多通道测量，观察和分析。     

超快光电测量技术

本文综述了近年来趔快光电测量技术的新进展，其中包括扭快光电材料的特性、高速光电器件的基本原理，着重介绍了若干主要的用快光电测量技术．     

同步荧光法同时测定苏丹红Ⅱ和苏丹红Ⅲ

开展了苏丹红的荧光分析研究, 为快速检测苏丹红提供了新的方法. 所建立的恒波长同步荧光法可同时对苏丹红Ⅱ和Ⅲ进行定性定量检测. 荧光方法具有很大的应用前景, 有望成为苏丹红的常规、快速、 简便的检测方法.     

VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．     

高效凝胶过滤色谱法（光电二极管阵列检测器）分离、测定巴豆毒蛋白

 巴豆毒蛋白粗提液在高效蛋白柱上分离，用光电二极管阵列检测器给出光谱信号，判断所需蛋白的峰，并利用光谱图和反相高效液相色谱来确认分离峰的纯度；在高效蛋白柱上测定了巴豆毒蛋白的分子量；利用离子交个邻苯二甲醛柱后衍生法测定了巴豆毒蛋白的氨基酸含量。     

铜表面腐蚀的激光扫描微区光电压图象的研究

铜表面腐蚀的激光扫描微区光电压图象的研究杨迈之，张雯，蔡生民，任聚杰（北京大学化学系，北京，１０００７１）（河北医学院化学系，石家庄）潘传智，杨勇（浙江工业大学化工系，杭州）（厦门大学化学系，厦门）关键词铜，缓蚀剂，微区光电压图铜的腐蚀与防腐早已引起...     

n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程

在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne激光照射, 使n-GaAs表面发生微区光电化学腐蚀, 用计算机控制步进马达, 使试样在X-Y二维方向扫描移动, 能在晶片上得到刻蚀点直径2 μm的刻蚀图案. 研究了激光相对光强, KOH、H_2SO_4、KCl等刻蚀剡的浓度, 光腐蚀的时间, 电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响, 通过实验数据找出腐蚀过程的规律, 并用光电化学原理进行解释.