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The current-voltage characteristics of Ti/n-GaAs Schottky diodes measured over a temperature range of 78-299K have been interpreted on the basis of thermionic emission across an inhomogeneous Schottky contact.The experiment shows that the apparent barrier height (φap) increases from 0.437eV at 78K to 0.698eV at room temperature.the plot of φap versus 1/T does not exhibit a simple linear relationship over the whole temperature range,indicating that the barrier height distribution is more complicated than the frequently observed single Gaussian distribution.A new multi-Gaussian distribution model is developed.Our experimental results can be explained by a double Gaussian distribution of the barrier heights.The weight,the mean barrier height,and the standard deviation of the two Gaussian functions are 0.00001 and 0.99999,0.721 and 0.696,0.069 and 0.012eV,respectively. 相似文献
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电感耦合等离子体原子发射光谱法测定化妆品中砷、铅、汞 总被引:15,自引:1,他引:14
本文采用五氧化二钒作催化剂,HNO3-H2SO4消解法对化妆品前处理后,用电感耦合等离子体发射光谱仪同时测定砷,铅,汞,方法简便,快速,回收率在95%-103.5%之间,相对标准偏差不大于3%。 相似文献
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本文对ICP-AES法测定合金钢及镍基合金中的钨进行了系统的研究。试验表明,钨400.875纳米不受钼400.867纳米线干扰,亦无其它光谱干扰,测量范围在0.2-2%时相对标准偏差不大于3.7%,准确度较好。经过对不同基体及不同组分标钢的测定,有13种标钢能够很好共线,证明钨的测定非光谱干扰基本可忽略不计。本方法化学处理简单,不需分离掩蔽等手段可直接测定。 相似文献