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81.
对强流脉冲离子束(IPIB)辐照Ti靶的烧蚀效应进行了二维数值研究.得到了表面烧蚀物质随脉冲时间的变化关系.得出TEMP Ⅱ 型加速器产生的脉冲束流辐照靶材时引起的汽、液化均是从表面开始、并且汽化过程中表面物质被层层烧蚀的结论.同时,得到中心区的平均烧蚀速度为10m/s 数量级,它远小于产生的烧蚀等离子体的喷发速度.得到脉冲期间靶材内部不同位置烧蚀斑痕形状的时间演化过程,以及束流中含有的离子种类分额不同时IPIB辐照过程产生的不同效果.
关键词:
强流脉冲离子束
靶
烧蚀过程
二维数值模拟 相似文献
82.
制备了Ta/FePt/C系列多层膜,研究了样品在不同温度退火后的磁特性和微结构.实验结果表明,不同厚度的Ta缓冲层具有不同的微结构特征,显著影响FePt层的L10有序相的形成及相应的矫顽力.当Ta缓冲层较薄,Ta层为非晶态,且较为粗糙,由此使FePt在界面处产生较多的缺陷并导致较高密度的晶界,在退火过程中,受束缚相对较弱的非晶态的Ta原子比较容易沿FePt的缺陷和晶界处向FePt层扩散,使FePt在相变过程中产生的应力比较容易释放,同时,Ta在扩散过程中产生的缺陷,降低了FePt有序
关键词:
FePt薄膜
0相')" href="#">L10相
原子扩散 相似文献
83.
对Schr?dinger方程引入修饰势,并将波函数展开为Floquet分波,即可实施分离变量。强光场时弱耦合法选取合适微扰量,径向波动方程可逐步近似求解。以圆极化强光场为例,计算了散射波函数、散射矩阵和截面。重要结论是:强光场下将出现多光子过程,对应m次多光子过程有相应的共振谱线族,谱线能量约为m?ω,并给出谱线强度计算公式。
关键词: 相似文献
84.
三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行. 相似文献
85.
86.
采用光滑粒子流体动力学(smoothed particle hydrodynamics,SPH)方法建立了高速列车风阻制动板流固耦合二维数值模型,实现了对风阻制动板动态开启过程的数值模拟,分析了风阻制动板的运动规律、受力分布和气动阻力变化规律.结果表明:当车速为300 km/h,最大开启角度为90°时,制动板整个开启过程的动作时间约为0.025 s,满足紧急制动时的快速响应要求;制动板开启初期,板的受力有较大突变且呈梯度分布,易弯曲变形;制动板的整个开启过程中,制动板整体受力水平逐渐提高且保持均匀分布,制动板直角边缘处受力始终较其他部位大,具有良好的增阻效果;最大制动力出现在最大开启角度为75°~85°时,而非垂直开启时,建议将最大开启角度设置为80°以获得最大制动力. 相似文献
87.
由于CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷的低频区直流电导较大, 本文采用模量 M"-f频谱表征与分析了低频和高频的两个松弛极化过程. 研究认为, 这两个特征峰属于晶界区Schottky 势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程, 其中高频松弛峰起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程, 而低频松弛峰则为与氧空位有关的松弛极化过程. 对于CaCu3Ti4O12这类低频下具有高直流电导的陶瓷材料, 采用模量频谱能更有效地分析研究其损耗极化机理.
关键词:
3Ti4O12陶瓷')" href="#">CaCu3Ti4O12陶瓷
模量
松弛过程
电导 相似文献
88.
广义oup2的马氏性,转移概率和预测 总被引:1,自引:0,他引:1
本文充分地利用文献[3]、[5]所得到的结论对广义oup2讨论了单点马氏性、宽过去马氏性、宽将来马氏性、*-马氏性,各种转移概率及其预测问题。 相似文献
89.
食饵种群具有常数设放率的捕食—食饵模型分支问题 总被引:8,自引:1,他引:8
本文研究了食饵种群具有常数投放率的捕食-食饵模型:{dx/dt=bx^2/N+x(1-x/k)-βxy+hdy/dt=-cy+dxy(1)的分支问题。详细讨论了其退化情形(N>>K):{dx/dt=bx^2(1-x/k)-βxy+hdy/dt=-cy+dxy的极限环存在性、唯一性以及正平衡点全局稳定性,并通过参数区域图进一步说明了参数的变化范围。并通过Hopf分支得到至少存在两个极限环的结果。 相似文献
90.
In this paper,the L-fuzzy group theory in a general frame is established,which is a generalization of [1-4]. 相似文献