H1弱拓扑中GBBM方程整体吸引子的存在性

文章讨论无界区域上GBBM方程的Cauchy问题,对方程的解进行了先验估计,并证明了在H1弱拓扑中整体吸引子的存在性.     

含腔电大尺寸导体目标电磁散射的一体化数值模拟

应用等效原理，通过引入口面上等效磁流将含腔导电目标电磁散射简化为腔内、外两个等效 问题. 腔内问题分段求解并应用级联法获得口面等效导纳矩阵；腔内外的耦合关系应用近似 边界元方法描述并由此获得口面等效磁流；最后，这一具有混合源的腔体内外一体化散射问 题则应用所提出的广义混合场积分方程方法建立电磁模型，并用多层快速多极子方法实现高 效数值求解. 实例计算结果与测试结果具有很好的一致性. 关键词： 含腔目标 电磁散射 混合场积分方程 数值分析     

CH-γ方程的多孤子解

利用Darboux变换得到CH-γ方程的多孤子解, 其中一些解的性质与CH方程的不同.     

超重核266Hs形成截面的入射道依赖

计算和比较了²⁶Mg+²⁴⁴Cm, ²⁷Al+²⁴³Am和³²S+²³⁸U3个反应系统的俘获截面和复合核²⁷⁰Hs形成截面. 在俘获截面计算中, 考虑了靶核形变效应. 穿越库仑势垒后, 反应系统由熔合谷进入不对称裂变谷. 只有越过不对称裂变谷中的条件鞍点的事件才进入复合核组态. 我们用考虑中子流动和径向运动的二参量Smoluchowski扩散方程来处理中间阶段的动力学过程. 此外, 还计算了经4n蒸发形成超重核²⁶⁶Hs的截面. 研究表明, 入射道的势垒分布, 中间阶段的条件鞍点高度对俘获截面, 复合核形成几率, 以及最终的超重核形成截面有显著影响.     

四阶方程两点边值问题Hermite有限元解的渐近展式与外推

1引言有限元解的渐近展式是提高微分方程数值解精度的重要工具,比如亏量校正和外推就是建立在有限元解的渐近展式的基础之上．许多作者对此进行了大量的研究(见[1]-[4]),特别是文[1],提出了在研究有限元解的渐近展式中十分有用的能量嵌入技巧．本文利用能量嵌入定理得到了四阶方程两点边值问题Hermite有限元解及其二阶平均导数的渐近展式,进一步我们还讨论了它们的Richardson外推公式．考虑四阶方程两点边值问题     

表面细分技术在二维声辐射和声散射中的应用

把表面细分技术应用于求解边界积分方程，既能把CAD模型直接用于边界元分析，又能精确描述复杂的边界几何形状，实现网格自动加密和形函数自动升阶，满足误差要求。把它应用于简单的二维声辐射和声散射，结果表明对提高边界元方法的计算精度是有效的。     

带干扰的Erlang(2)风险模型的不破产概率

本文讨论了带干扰的Erlang(2)风险模型,通过构造一个延迟更新过程,我们得到了不破产概率满足的积分-微分方程,进而得到了不破产概率的明确表达式．     

Instability of Solitary Waves in Nonlinear Composite Media

In this paper,we investigate a class of Hamiltonian systems arising in nonlinear composite media.By detailed analysis and computation we obtain a decaying estimates on the semigroup and prove the orbitalinstability of two families of explicit solitary wave solutions (slow family in anisotropic case and solitary wavesin isotropic case),which theoretically verify the related guess and numerical results.     

STABLE SOLUTION OF TIME DOMAIN INTEGRAL EQUATION METHODS USING QUADRATIC B-SPLINE TEMPORAL BASIS FUNCTIONS

This paper is concerned with stable solutions of time domain integral equation （TDIE） methods for transient scattering problems with 3D conducting objects. We use the quadratic B-spline function as temporal basis functions, which permits both the induced currents and induced charges to be properly approximated in terms of completeness. Because the B-spline function has the least support width among all polynomial basis functions of the same order, the resulting system matrices seem to be the sparsest. The TDIE formula-tions using induced electric polarizations as unknown function are adopted and justified. Numerical results demonstrate that the proposed approach is accurate and efficient, and no late-time instability is observed.     

一类退化半导体方程弱解存在性的研究

文章研究了当■(s)=sm(m>1),b(s)=s2和初值为u0,v0∈L 2(Ω)时一类退化半导体方程弱解的存在性．文章首先将原问题正则化,然后对正则化问题在L 2(Ω)空间上做出了有界估计,最后利用收敛性得到了问题的结论．