A threshold voltage model MOSFETs considering for high-k gate-dielectric fringing-field effect

In this paper, a threshold voltage model for high-k gate-dielectric metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） is developed, with more accurate boundary conditions of the gate dielectric derived through a conformal mapping transformation method to consider the fringing-field effects including the influences of high-k gate-dielectric and sidewall spacer. Comparing with similar models, the proposed model can be applied to general situations where the gate dielectric and sidewall spacer can have different dielectric constants. The influences of sidewall spacer and high-k gate dielectric on fringing field distribution of the gate dielectric and thus threshold voltage behaviours of a MOSFET are discussed in detail.     

集值映射最优化真有效解的锥次微分的稳定性

了集值映射最优化真有效解及真有效点的锥次微分稳定性。此外，还讨论了锥次微分意义下的性与半连续意义下的稳定性之间的关系。     

拟共形映射和John域

本文研究了(R)∫ΩBn中的John域与一致域和线性局部连通域的关系.利用平面中John域和拟圆的关系,获得了(R)∫ΩBn中的John域成为一致域和线性局部连通域的几个充分条件,它们是(R)2的推广.     

紧致Hermite流形之间的调和映照

将Bochner-Kodaira
公式推广到一般Hermite流形的复向量丛上. 作为应用得到了一类Hermite流形之间的调和映射的复解析性.     

并行算法到并行结构的映射

本文以“匹配”法为基础，给出了新的目标函数，并以此设计映射算法，最后给出试验结果。     

局部凸空间中ic -锥-类凸集值优化问题的超有效性

该文研究局部凸空间中受集值约束的集值优化问题的超有效解. 证明了ic -锥-类凸集值映射的一个有用性质, 并以此性质为主要工具, 得到了ic -锥-类凸集值向量优化问题超有效解的最优性条件和鞍点定理.     

格群的-Fuzzy子格群的等价刻画及应用

给出-Fuzzy子格群的的几种等价刻画，利用它们得到一些结果。     

双诱导映射(L)集合范畴的幂对象及子对象分类子探讨

引入双诱导映射(L)集合范畴的幂对象及子对象分类子的概念,并分别讨论它们的判别定理,同时给出它们的具体结构.     

THE GENERALIZED ROPER-SUFFRIDGE EXTENSION OPERATOR

This note induces some generalized Roper-Suffridge extension operators such that they are used to construct some almost starlike mappings of order α and starlike mappings of order a on different domains.     

局部域反馈神经网络的全局收敛性

本文针对具有-般投影映射的连续型局部域反馈神经网络,给出了在一可验证条件下的临界全局收敛性分析.所获得的结果极大地改进了现有典型的收敛性结论.数值试验进-步证实了所得结果的正确性和可行性.