群色散光纤中高强度光脉冲传输与压缩的研究

考虑非线性四阶折射率,推导了光脉冲在群色散单模光纤中传输的非线性方程,并得到孤子型解析解.同时指出在Sech型光纤脉冲压缩实验中,光强度的阈值.     

高阶非线性差分方程的振动性

本文研究了差分方程△ｄｘ（ｎ）＋ｐ（ｎ）△（ｄ－１）ｘ（ｎ）＋Ｈ（ｎ，ｘ（ｎ））＝０，（１．１）△ｄｘ（ｎ）＋ｐ（ｎ）△（ｄ－１）ｘ（ｎ，ｘ（ｎ））＝Ｑ（ｎ）．（１．２）在一定的条件下，证明了方程（１．１）与（１．２）在振动性方面的等价问题．对于方程（１．１）或（１．２），在ｎ是偶数时的每一个有界解是振动的，在ｎ是奇数时，每一个有界解是振动的或当→∞时单调趋于零的充要性定理也建立了．     

深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶及其分子工程学探索方法

阐述了紫外无机非线性光学晶体分子工程学探索方法的基本特点，具体分析深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶（ＳＢＢＯ）以氟硼铍酸钾（ＫＢＢＦ）为主要参考晶体的分子设计方法，随后根据晶体结构研究、单晶培养、和非线性光学性能测定等实验结果讨论ＳＢＢＯ作为新型深紫外无机晶体的主要优点，即它既具有更短的紫外吸收边（接近１５５ｎｍ）和较大的非线性光学系数（ｄ２２（ＳＢＢＯ）＝０６×ｄ２２（ＢＢＯ）＝１３８ｐｍ／Ｖ），同时晶体无明显层状习性，并肯有良好的化学稳定性和机械性能     

Na2SbF5晶体倍频系数的理论计算

本文使用阴离子基团理论计算了Na₂SbF₅晶体的倍频系数,得到d₁₂₃=4.48×10^-10esu,与实验值符合较好。计算结果表明,阴离子基团中孤对电子的存在有利于产生大的倍频效应。本文还分析了Na₂SbF₅晶体倍频系数小的原因:尽管(SbF₅)^2-基团存在孤对电子可以对晶体倍频系数有较大贡献,但孤对电子能级的相对位置对其倍频系数有不利影响,从而导致它的倍频系数d₁₂₃较小。 关键词：     

用激活性非线性介质Nd：MgO：LiNbO3产生二次谐波

以Nd:MgO:LiNbO_3同时兼作激活介质和非线性光学材料,研究自倍频激光器。用小型氙灯泵浦,在室温下获得二次谐波激光(0.547μm) 阈值小于4.8'J,最大输出400μJ/shot,工作温度范围大于20℃～45℃,无光损伤。     

OSCILLATION OF A FORCED SECOND ORDER NONLINEAR EQUATION

ＯＳＣＩＬＬＡＴＩＯＮ ＯＦ Ａ ＦＯＲＣＥＤ ＳＥＣＯＮＤ ＯＲＤＥＲ ＮＯＮＬＩＮＥＡＲ ＥＱＵＡＴＩＯＮ ￥ＫＯＮＧＱＩＮＧＫＡＩ；ＺＨＡＮＧＢＩＮＧＧＥＮＡｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｇｉｖｅｓｓｅｖｅｒａｌｃｒｉｔｅｒｉａｏｎｔｈｅｏ...     

论流动稳定性中的弱非线性理论

弱非线性理论提出已有30多年,被广泛用于流动稳定性及其他领域的问题.但能与实验比较并证实其有效性的理论计算结果很少.本文研究了其原因,发现主要是平均流修正的计算方法有问题,导致它的结果与数值模拟的结果吻合得不好.提出了正确的算法,结果相当满意.     

电机工程中一类非线性振动方程的渐近分布

本文采用文［１］中提出的修正的Крылов－Боголюбов方法，研究电机工程中一类非线性振动方程，定量地给出了存在极限环的参数范围以及极限环的振幅，并判定该极限环是不稳定的，这些结果与已知的定性分析结果完全一致，从而进一步证实了上述渐近方法的有效性。     

对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析

分析以以半导体光放大器（SOA）为基础的对称马赫－曾德尔干涉仪（MZI）解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播（CPMZ）与同向传播（TPMZ）两种工作模式下的开关特性。研究表明：控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小，是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时，如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间，控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化；当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时，即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间，峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时，控制脉冲应尽可能窄，且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比，而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。