第16届全国激光学术会议在上海召开

由中国电子学会和中国光学学会联合主办、中国科学院上海光学精密机械研究所承办的第 16届全国激光学术会议于 2 0 0 3年 10月 19～ 2 2日在上海举行。来自国内约 90个从事激光科学和技术研究的研究所、大学和公司的 30 0多名代表参加了会议。大会组织安排了 11个特邀报告 :太赫兹科学技术的新进展 (刘盛纲院士 ) ,玻色爱因斯坦凝聚研究及应用 (王育竹院士 ) ,量子通信保密系统 (郭光灿教授 )、超强激光及前沿应用 (彭翰生研究员 )、光电子技术与产业 (刘颂豪院士 )、激光定向能应用的物理与技术进展 (苏毅研究员、杜祥琬院士 )、快速发展的…     

复合型铁氧体全极化器

应用耦合波理论 ,对有两组NS/N′S′四磁极磁化铁氧体中极化传输进行了分析 .在X、S波段对多种椭圆极化进行了测试 ,还完成了 0°～ 180°范围内多种线极化波测试 .最后对全极化器应用作了简单介绍 .     

Three Stilbene Tetramers from the Roots of Caragana sinica

Three stilbene tetramers, carasinols A-C (1-3), along with three known substances, leachianol C, cararosinol A and stenophyllol B, were isolated from the roots of Caragana sinica. Their structures were elucidated by spectroscopy. It was found that compounds isolated except for stenophyllol B stimulated the proliferation of cultured osteoblasts.     

四羧基锰酞菁作为超氧化物歧化酶和过氧化物酶模拟酶的研究

用核黄素 蛋氨酸光照法和黄嘌呤氧化酶 细胞色素C还原法证实,在1.0×10-6～1.0×10-5mol/L范围内四羧基锰酞菁(TcPcMn)表现出良好的清除超氧阴离子自由基(O—·2)的活性;用黄嘌呤氧化酶 NBT还原法测算出的TcPcMn清除O—·2的二级反应速率常数为7.77×105mol-1·L·s-1,表明TcPcMn作为超氧化物歧化酶(SOD)模拟酶能很好的抑制O—·2的还原性.TcPcMn既能催化H2O2与4 氨基安替比林和酚的显色反应,也能催化邻苯二胺的聚合,表明TcPcMn具有过氧化物酶(POD)活性.用邻苯三酚自氧法得出,TcPcMn将O—·2的氧化性转化成了POD和H2O2的氧化性.因此只要牺牲一定的POD底物,TcPcMn就可以清除掉因歧化O—·2而产生的H2O2,继而能避免因发生Fenton反应而产生氧化性高于O—·2的羟自由基,从而彻底消除O—·2的氧化性,与SOD相比,这是TcPcMn的一个优势.     

Bellman最优性原理——论动态规划(Ⅰ)

对于Bellman最优性原理,本文举出实例表明:(1)策略不一定有(合理的)子策略;(2)子策略不一定存在最优子策略;(3)最优策略不一定有最优子策略;(4)用最短路与反证法来论述最优性原理的正确性,不能肯定成立;(5)Bellman最优性原理与其递推公式并不等价。 讨论四类最优策略之后,给出最优性原理与递推公式等价的一个充分性定理。     

三角B\''{e}zier曲面和四边B\''{e}zier曲面之间的相互转化

B\'{e}zier曲面有两种不同的形式:三角B\'{e}zier曲面和四边B\'{e}zier曲面,它们有着不同的基底和不同的几何拓扑结构, 但是它们也有很多共同的性质,因此三角B\'{e}zier曲面和四边B\'{e}zier曲面之间的相互转化就成为CAGD 里一个重要研究课题.在本文中, 我们用函数复合的方法实现两者之间的相互转化.被复合的两个函数, 一个用Polar形式表示,另一个用常见的Bernstein基形式表示.     

High—Efficiency Organic Double—Quantum—Well Light—Emitting Devices Using 5,6,11,12—Tetraphenylnaphthacene Sub—monolayer as Potential Well

The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V.