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191.
以双水杨醛缩二氨基硫脲合铜(Ⅱ)[Cu(Ⅱ)-ATBSAD]为中性载体制备PVC膜电极,该电极对SCN-具有优良的电位响应特性。采用紫外光谱技术和交流阻抗技术研究了该电极对SCN-的响应机理。电极在磷酸盐缓冲溶液(pH5.0)中,SCN-浓度在1.0×10-1~1.4×10-7mol/L范围内呈近能斯特响应;斜率为-56mV/pSCN-(26℃);检出限为5.6×10-8mol/L。Cu(Ⅱ)-ATBSAD载体膜电极对SCN-具有较好的选择性,一些常见阴离子对电极的干扰较小。将此电极用于废水中硫氰酸盐含量的测定,结果与高效液相色谱法一致。 相似文献
192.
本文讨论了含割点$u$的连通图G,其中$G-u$含路、圈或$D_{n}$分支时图$G$的伴随多项式的最小实根的变化情况.得到一些新的序关系,这推广了文[10-13]中有关图的伴随多项式最小根的一些结果. 相似文献
193.
提出了一个理想稀溶液的分子模型,并利用Boltzmann分布定律和Laplace方程导出一个简单的Henry系数表示式,它与溶质分子周围溶剂的内压力或溶剂压密切相关。利用Hildebrand内压力方程,并以纯溶剂的摩尔体积代人,关联了11种气体在正十六烷中的Henry系数随温度变化的实验数据。 相似文献
194.
195.
196.
197.
This paper investigates the current-voltage (I-V) characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 77 K-500 K, which shows that Al/Ti/4H SiC SBDs have good rectifying behaviour. An abnormal behaviour, in which the zero bias barrier height decreases while the ideality factor increases with decreasing temperature (T), has been successfully interpreted by using thermionic emission theory with Gaussian distribution of the barrier heights due to the inhomogeneous barrier height at the A1/Ti/4H-SiC interface. The effective Richardson constant A* = 154 A/cm2 . K2 is determined by means of a modified Richardson plot In(I0/T2) - (qσ)2/2(κT)2 versus q/kT, which is very close to the theoretical value 146 A/cm2 · K2. 相似文献
198.
The main work of this article is to give a nontrivial method to construct pointed semilattice graded weak Hopf algebra At =n i =0Aαi tfrom a Clifford monoid S = [Y; Gα, φα,β ]by Ore-extensions, and to obtain a co-Frobenius semilattice graded weak Hopf algebra H(S, n, c, χ, a, b) through factoring At by a semilattice graded weak Hopf ideal. 相似文献
199.