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71.
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及Ce掺杂CrSi2的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明,未掺杂CrSi2是间接带隙半导体,其禁带宽度为0.392 eV,掺杂Ce元素,仍然是间接半导体,带隙宽度下降为0.031eV。未掺杂CrSi2在费米能级附近主要由Cr-5d、Si-3p态贡献。Ce掺杂后在费米能级附近主要由Cr-5d轨道,Ce-4f轨道,C-2p,Si-3p轨道贡献,掺杂后电导率提高。未掺杂CrSi2有两个介电峰,掺杂后,只有一个介电峰。未掺杂CrSi2,在能量为6.008处吸收系数达到最大值,掺杂后在能量为5.009eV处,吸收系数达到最大值。  相似文献   
72.
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征Zn2GeO4,Mn2+掺杂Zn2GeO4,Mn2+/N2-共掺杂Zn2GeO4超晶胞进行了几何结构优化,计算了掺杂前后体系的晶格常数、能带结构、态密度和光学性质。结果表明,Mn离子掺入后,Mn离子3d轨道与O离子2p轨道之间有强烈的轨道杂化效应,掺杂系统不稳定,而Mn/N离子共掺后,Mn离子和N离子之间的吸引作用克服了Mn离子之间的排斥作用,能够明显地提高掺杂浓度和体系的稳定性。光学性质计算结果表明,Mn离子与N离子共掺杂能改善Zn2GeO4电子在低能区的光学跃迁特性,增强电子在可见光区的光学跃迁;吸收谱计算结果显示,Mn离子与N离子掺入后体系对低频电磁波吸收增加。  相似文献   
73.
朱贤良  熊慧 《数学通讯》2024,(3):24-27+32
数学解题的关键是善于挖掘已知条件的内涵,并由此突破解题壁垒.在一些解析几何问题中,虽然从表面来看似乎与圆无关,但从定义、方程与性质的角度深挖下去,圆便会“浮出水面”.发现“隐圆”往往能帮助我们打开解题思路,成功到达彼岸.  相似文献   
74.
秦楚  陈仪朝 《数学学报》2024,(3):531-538
图嵌入G的部分对偶GA是选择G的部分边集A做对偶,它是经典的庞加莱对偶G~*的推广.与经典的庞加莱对偶不同的是,部分对偶GA的亏格往往不等于G的亏格.类似于黄-刘图的非上可嵌入性刻画定理,对平面图我们先证明了非极大部分对偶平面图结构定理,并由此确定了平面三角剖分图G的部分对偶最大亏格,即当G为3-圈时,G的部分对偶最大亏格为1;否则G的部分对偶最大亏格为其顶点数减1.  相似文献   
75.
以Fe(SR)6为桥的系列钼铁硫双立方烷化合物(Et4N)4[(MoFe3S4(SR)3)2Fe(SR)6],R=ph,o-tol,m-tol和p-tol的磁极矩和1H-NMR数据作了报导和分析,并与类似的化合物作比较,讨论了它们的电子结构和磁结构。在类立方烷单元[MoFe3S4]中未配对电子有明显的离域性,过渡金属原子之间有很强的反铁磁偶合作用。整个分子形成三个基本上相互独立的磁性中心。  相似文献   
76.
本文在分析直链饱和烃十三种物理化学性质的基础上,找出了直链饱和烃的一系列物理化学性质 P 与拓扑指数 Z_G 之间的普遍关系P=algZ_G/N~m+b式中 N 为直链饱和烃的碳原子数,a、b、m 是与直链饱和烃物理化学性质有关的常数.  相似文献   
77.
本文给出非理想流体(非理想气体、等离子体及液体)的对偶关联性质的一般理论。文中给出了计算多组元、任意分子相互作用势体系的对偶关联函数的一般公式,以及由辐射(激光与微波)散射测定分子间相互作用势与对偶密度关联函数的理论基础。  相似文献   
78.
赖发春  林丽梅  瞿燕 《光子学报》2006,35(10):1551-1554
利用反应磁控溅射技术在BK-7基片上制备了二氧化钛和五氧化二铌均匀混合的光学薄膜.薄膜的内部微结构、表面形貌、化学成分比例以及光学性质等用X射线衍射、高分辨扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和紫外可见近红外分光光度计进行研究;发现制备的薄膜为非晶结构,薄膜的表面平整、内部结构致密,不存在柱状结构或结晶颗粒的缺陷,TiO2与Nb2O5的成分比例大致是1∶1.54.从光学透射光谱计算的折射率和消光系数显示,在550 nm波长处的折射率为2.34,消光系数为2.0×10-4.结果表明制备的薄膜是TiO2和Nb2O5均匀混合的高质量光学薄膜.  相似文献   
79.
采用固相法在较低温度下合成了Eu2+激活的Ca2SiO3Cl2高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca2SiO3Cl2晶体中占据两种不同Ca2+格位的Eu2+离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu2+浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu2+浓度为0.005mol-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca2SiO3Cl2:Eu2+可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。  相似文献   
80.
《发光学报》2006,27(6):916-916
由中国物理学会发光分会、中国稀土学会发光专业委员会主办,中国科学院激发态物理重点实验室承办,海南大学理工学院协办的第1届掺杂纳米材料发光性质学术会议于2006年11月5~7日在海南省海口市举行。这是国内外举办的首次掺杂纳米发光材料方面的专题学术研讨会。来自全国20个省市49个单位、香港地区(3人)以及美国(2人)、荷兰(1人)的专家学者总计100余人出席了此次会议。会议共收录论文摘要101篇,其中大会邀请报告8篇、分会邀请报告12篇、口头报告36篇、张贴报告45篇。内容涉及到:新型纳米发光材料与新的纳米合成、组装技术;纳米材料发光中的激发态过程;上转换纳米发光材料;纳米材料中的限域效应、表面效应及其诱导的新现象;表面修饰与核壳结构的纳米材料;一维纳米材料线、管及纳米薄膜的结构与发光性质;掺杂纳米材料发光中的新概念、新理论.  相似文献   
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