可反映射的性质及其应用

对可反映射的性质进行了研究 ,利用其性质对混沌系统 Hénon映射的同宿轨进行了讨论     

Modified constructions of binary sequences using multiplicative inverse

Two new families of finite binary sequences are constructed using multiplicative inverse. The sequences are shown to have strong pseudorandom properties by using some estimates of certain exponential sums over finite fields. The constructions can be implemented fast since multiplicative inverse over finite fields can be computed in polynomial time.     

带移民和瞬态拯救的Markov分枝过程的存在唯一性与遍历性

考虑一类带有移民和瞬态拯救的Markov分枝过程. 证明了如果拯救速率可和, 则不存在过程. 在拯救速率不可和的情形下, 建立了过程存在性判别准则, 并给出了这一判别准则的一些便于验证的等价条件. 同时, 得到了过程唯一性判别准则; 证明了对给定的q-矩阵Q, 虽然存在无穷多个 Q-过程, 但不中断Q-过程却是唯一的. 给出不中断Q-过程的构造; 证明不中断Q-过程总是遍历的, 给出平稳分布的具体表达式.     

特征函数的性质

得到了特征函数、条件特征函数的一致可微性和条件特征函数的反演公式.     

线性无量纲化方法在群体评价中的扩展及选取

无量纲化处理是开展综合评价的基础，目前线性无量纲化方法很少考虑群体评价的情况。本文针对常用的6种线性无量纲化方法直接应用到群体评价中不能保证各评价者评价信息横向大小顺序的问题，首先对问题进行界定，并对6种线性无量纲化方法进行了扩展；其次进一步分析了扩展后的线性无量纲化方法的性质，并针对群体评价问题引入“横向单调性”和“变量单一性”两个性质，为线性无量纲化方法的设计研究提供重要的参考；再次以无量纲化后的数据最大程度的保留原始信息为原则，针对不同的赋权方法，给出线性无量纲化方法选择的建议；最后，用一个算例检验了方法的有效性。     

一类三阶非线性伪抛物方程的初边值问题

非线性伪抛物方程由于其来源于一些重要的物理过程而成为研究热点.对于一类三阶非线性伪抛物方程的初边值问题,给出了Hilbert空间中相应的强制不等式,利用同胚理论及推广的反函数定理,得到了非线性方程初边值问题解的大范围存在定理.对于相应的半线性方程给出了初边值问题解的大范围存在性、唯一性定理.     

VCSEL with reticular electrode and larger emitting aperture and its optoelectronic characteristics

The enlargement of the emitting aperture is usually one of the important methods of increasing vertical- cavity surface-emitting laser （VCSEL） optical output power. However, in a VCSEL with a larger aperture, the inhomogeneity in the injected current often causes inhomogeneous or even no emission. To solve this problem and to increase VCSEL output power, as well as to improve its thermal characteristics, we develop a new type of injected VCSEL with a larger aperture and a reticular electrode, where the conventional circular injection electrode of the P side is turned into a reticular one, and the heat sink is on the N side. The tests of the new VCSEL show an improvement in homogeneity in not only the injected current but also the emission intensity. The optical output power is also considerably increased, and the device optoelectronic performance is improved.