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11.
基于动态随机均衡模型,构建了技术投入与产出共生的模型框架,实证研究技术投入溢出对我国经济增长的影响效应.研究表明,该模型能较好地解释经济增长和技术投入溢出;技术溢出对我国经济的冲击作用是一个动态的过程;随着技术存量与新增技术的不断调整,技术溢出对经济增长的影响将趋于均衡水准.  相似文献   
12.
提出了一种基于傅里叶变换红外(FTIR)反射谱的动态随机存储器(DRAM)深沟槽结构测量方法与系统。给出了测量原理与方法,设计了测量系统光路。通过可变光阑调节探测光斑大小并选择合适的入射角,消除了背面杂散光反射干扰的影响,大大提高了信噪比。对DRAM深沟槽样品进行反射光谱图测试与实验研究,表明所述方法与系统能够提取出纳米级精度的深沟槽参数。该技术提供了一种无接触、非破坏、快速、低成本和高精度的深沟槽结构测量新途径,在集成电路制造过程中的在线监测与工艺控制方面具有广阔的应用前景。  相似文献   
13.
朱小红  郑东宁 《物理》2004,33(01):34-39
铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能:高的介电常数,较低的介电损耗,好的绝缘漏电性能;而且,通过调节材料中的Ba/Sr成分比,可改变材料的居里相变温度TC,以满足特定应用环境的温度需要,在超高密度集成的动态随机存储器(DRAM)方面表现出广阔的应用前景.文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展,并对这一应用所面临的问题也进行了详细讨论.  相似文献   
14.
<正>基于电致阻变效应的电阻式随机存储器(RRAM)有望综合动态随机存储器(DRAM)、静态随机存储器(SRAM)和闪存(FLASH)三大主流存储器各自的存储特性,集非易失性、非破坏性读出、高存取速度、工艺和器件结构简单、可嵌入功能强等优点于一身,弥补现在DRAM、SRAM易失性和FLASH擦写速度慢的缺点,是下一代存储器的候选者之一。  相似文献   
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