薄膜物理及其应用讲座：第三讲 非晶半导体薄膜最新进展

介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能，给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。     

A—H键振动频率规律性的研究

国内外学者对氢化物A—H键振动频率V_(A-H)规律性的研究做了不少工作,取得一些成果。但对其普遍规律性尚缺乏深入系统的研究,大多公式涉及常数或参数较多,就用面窄,准确性差。文献就分子的整体作用探讨了A—H键振动频率的规律性,取得较为满意的结果,但其中又涉及到另一个需要求算的参数电负性,从而影响了用分子内在性质直接反应振动频率V_(A-H)的规律性。     

PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用

研究了等离子增强化学气相淀积氮氧化硅薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路光互连中的潜在应用。     

酞菁钴薄膜的折射率及吸收特性

通过真空镀法在单晶硅片上制备了酞菁钴薄膜，在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了ＣｏＰｃ薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。     

赤霉素的2.5分微分伏安法研究及应用

在０．６５ｍｏｌ／Ｌ硫酸介质中，赤霉素的降解产物－１．０Ｖｖｓ．ＳＣＥ产生一灵敏的２．５次分微分极谱波，探讨了赤霉素降解产物的伏安特性，赤霉素浓度在０．２～８μｇ／ｍＬ范围内与ｅ″值呈良好的线性关系，方法的检出限为０．１μｇ／ｍＬ，已用于试样分析。     

Effects of Post-Thermal Treatment on Quality of SiC Grown by PVT Method

We report the effects of post-thermal treatment on the quality of 2-inch 6H-SiC wafer cut from a crystal boule grown by physical vapour transportation method. The full widths at half maximum of x-ray diffraction rocking curves measured on sites across the 2-inch wafer become narrower, indicating the quality improvement after a three-step post-thermal treatment. It is found that the most common defects such as micropipes and inclusions can be significantly reduced after the treatment. Our results show that the post-thermal treatment is an effective route to improve the quality of SiC single crystals.     

圆形振动膜ZnO压电微传声器的研制

本文介绍了一种新型圆形振动膜ZnO压电微传声器的制备，并对传声器制备的工艺过程进行了较为详细的描述。圆形振动膜的压电传卢器与以前方形振动膜结构设计相比，较大幅度提高了传声器的灵敏度和成品率，灵敏度达到-70dB（相对于1V／Pa），成品率达到80％。