首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   14235篇
  免费   2884篇
  国内免费   5753篇
化学   9771篇
晶体学   727篇
力学   3470篇
综合类   458篇
数学   2969篇
物理学   5477篇
  2024年   112篇
  2023年   386篇
  2022年   420篇
  2021年   489篇
  2020年   443篇
  2019年   526篇
  2018年   377篇
  2017年   500篇
  2016年   564篇
  2015年   682篇
  2014年   799篇
  2013年   1075篇
  2012年   962篇
  2011年   976篇
  2010年   882篇
  2009年   895篇
  2008年   1030篇
  2007年   1005篇
  2006年   1115篇
  2005年   1051篇
  2004年   1077篇
  2003年   1044篇
  2002年   838篇
  2001年   805篇
  2000年   557篇
  1999年   545篇
  1998年   499篇
  1997年   418篇
  1996年   391篇
  1995年   409篇
  1994年   328篇
  1993年   285篇
  1992年   326篇
  1991年   317篇
  1990年   259篇
  1989年   237篇
  1988年   98篇
  1987年   63篇
  1986年   33篇
  1985年   20篇
  1984年   17篇
  1983年   11篇
  1982年   3篇
  1979年   2篇
  1975年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 109 毫秒
101.
极紫外望远镜各通道夹角的测量   总被引:1,自引:1,他引:0  
苏宙平  陈波 《光学技术》2003,29(5):552-554
极紫外望远镜是由四个单通道的望远镜捆绑在一起,以便同时对太阳的相同部分观测,由于受地面装调以及发射过程中的影响,无法保证四个通道光轴严格平行,必然带来观测位置上的误差。只要测出各通道之间的光轴夹角,便可在像面上采取适当的处理方法,以便减小这种误差,但这一夹角的测量精度必须控制在0.1″内。为达到如此高的精度,采用了太阳局部边缘探测的方法,很好地解决了这一问题。  相似文献   
102.
Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌   总被引:4,自引:1,他引:3  
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。  相似文献   
103.
In this paper, we investigate the coupling of natural boundary element and finite element methods of exterior initial boundary value problems for hyperbolic equations. The governing equation is first discretized in time, leading to a time-step scheme, where an exterior elliptic problem has to be solved in each time step. Second, a circular artificial boundary FR consisting of a circle of radius R is introduced, the original problem in an unbounded domain is transformed into the nonlocal boundary value problem in abounded subdomain. And the natural integral equation and the Poisson integral formula are obtained in the infinite domainΩ2 outside circle of radius R. The coupled variational formulation is given. Only the function itself, not its normal derivative at artificial boundary ΓR, appears in the variational equation, so that the unknown numbers are reducedand the boundary element stiffness matrix has a few different elements. Such a coupled method is superior to the one based on direct boundary element method. This paper discusses finite element discretization for variational problem and its corresponding numerical technique, and the convergence for the numerical solutions. Finally, the numerical example is presented to illustrate feasibility and efficiency of this method.  相似文献   
104.
关俊  陈国夫  程光华  刘畅  侯洵 《光子学报》2003,32(12):1418-1421
针对激光二极管端面泵浦的Nd:YVO4全固态激光器,提出了一种利用双晶体,对Nd:YVO4的热效应进行补偿的方案,同时该方案又能提高最大输出功率,避免由于插入附加光学元件所导致的损耗,满足调Q以及提高腔内倍频效率的要求.  相似文献   
105.
林惠文  朱文祥 《中国化学》2003,21(8):1054-1058
The structure of the title adduct comprises a phenanthroline derivative 2-phenyl-imidazo[4,5-f]1,10-phenanthroline and a methanol.The composition of the crystalline adduct was characterized as C19H12N4.CH3OH.It belongs to orthorhombic system,space group Pna21 with a=1.3693(4)nm,b=2.2988(7)nm,c=0.51338(15)nm,V=1.6160(8)nm^3.Z=4,and final R1=0.0423.wR2=0.1012 .Crystal structure shows that all the 19 carbon atoms and 4 nitrogen atoms are coplanar.The bond length data indicated that a very extensive conjugation system was formed.This conjugation makes the compound being a potentially excellent energy transformer used for luminescent materials.  相似文献   
106.
王小刚  张宏 《物理学报》1992,41(9):1458-1462
本文利用离散变分法,集团模型和三维数值弛豫技术,研究了Fe-V-N稀合金中V-N-空位复合体的几何构型,正电子湮没特性和电子结构。根据正电子湮没寿命实验的结果和总能量极小原理,确定了V和N在V-N-空位复合体中的最佳占据位置。分析了V-N-空位复合体的成键特性和电荷转移情况。 关键词:  相似文献   
107.
108.
采用溶胶 凝胶法制备了Zn2SiO4∶Mn薄膜并结合毛细管微模板技术实现了薄膜的图案化,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜,光学显微镜,发光光谱等手段对Zn2SiO4∶Mn的结晶过程、发光性质进行了研究。XRD结果表明,溶胶 凝胶法合成的样品在800℃时已开始结晶,在1000℃时可得到纯相的Zn2SiO4∶Mn,这比传统的固相法的烧结温度低150℃。Zn2SiO4∶Mn薄膜的激发光谱在220nm和280nm之间有一个强的吸收峰,峰值位于248nm,发射光谱的最大值位于522nm,为绿光发射。从原子力显微镜照片可知组成薄膜的粒子比较均匀,其平均直径为220nm。我们获得了四种图案化宽度,分别是5,10,20,50μm。光学显微镜的结果表明,图案薄膜烧结后相对于烧结前有10%~20%的收缩。  相似文献   
109.
交流示波极谱法连续洋定LaNi4Cu合金的分量   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
110.
ASYMPTOTIC BEHAVIOR OF THE DRIFT-DIFFUSION SEMICONDUCTOR EQUATIONS   总被引:4,自引:1,他引:3  
This paper is devoted to the long time behavior for the Drift-diffusion semi-conductor equations. It is proved that the dynamical system has a compact, connected and maximal attractor when the mobilities are constants and generation-recombination term is the Auger model; as well as the semigroup S(t) defined by the solutions map is differential. Moreover the upper bound of Hausdorff dimension for the attractor is given.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号