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41.
42.
 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.  相似文献   
43.
重点介绍了 HL-2M 装置的运行技术和初步的等离子体控制实验结果,包括等离子体放电方案设计、 线圈电流控制、击穿阶段零场匹配和等离子体电流以及位移的控制。为了降低放电运行风险,HL-2M 装置初始放 电采用了简化的放电方案,通过整定 PID 参数实现了线圈电流控制,在击穿阶段获得了 10V 以上的环电压和较大 范围的零场区域,成功实现等离子体击穿。最后,投入了等离子体电流和水平位移反馈控制算法,成功将等离子 体放电脉宽提升至 200ms 以上,且维持 Ip≥100kA 的时间超过了 100ms,上述结果表明 HL-2M 装置运行控制技术 得到了初步的检验。   相似文献   
44.
提出了一种基于分数阶傅里叶变换的模式测控一体化方法。利用分数阶傅里叶变换光路对光纤模式耦合态进行空间调制和相位调制,以实现模式的有效分解。与双重傅里叶变换(F2)法以及空间和频谱成像(S2)法相比,采用的分数阶傅里叶变换法,通过改变分数阶参数,控制模式的空间分布以及模式间的叠加状态,更易于分解出高阶模式。基于分数阶傅里叶变换的模式测量方法可在更广泛空间,研究模式的空间和相位叠加以及模式分解,也可退化为F2法和S2法。  相似文献   
45.
已有的束流磁场控制方法大多采用开环的方式,即根据磁场需求直接设置磁铁电源输出的电流或电压值.但开环状态的磁场在现场噪声以及磁铁自身涡流效应的影响下,极容易发生偏移.针对此问题,设计了基于PID算法的磁场闭环控制系统.该系统以偏转磁铁为控制对象,使用霍尔传感器获取磁场值作为反馈,磁铁电源励磁电流的输出作为控制系统的输入量...  相似文献   
46.
在小角度V型结构的HL-2M常规偏滤器位形下,采用SOLPS 5.0程序研究了抽气速率Sp对装置粒子排除控制能力及溅射产生的碳杂质分布的影响.模拟结果表明,当进入边缘区域的能量为4MW、上游密度为n sep=3.0×10 m-3时,过高的抽气速率(大于40m3?s-1)将迅速降低靶板附近中性粒子压强和等离子体密度,并引...  相似文献   
47.
张祥伟  宁永强  秦莉  刘云  王立军 《发光学报》2013,34(11):1517-1520
通过分析矩形出光孔径和亚波长金属光栅结构,发现大孔径高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制的难点在于横模非常复杂。因此提出一种新型的氧化光栅型VCSEL结构,不仅能够很好地在有源区内引入各项异性的增益结构,并且最大的优势还在于能够完美地控制大孔径VCSEL的横模。通过有限元软件对器件有源区的电流分布进行了模拟,发现当光栅脊的宽度为1.8 μm时,载流子在光栅两端聚集的现象基本上可以消除,而且其电流密度分布差可以达到很高。  相似文献   
48.
胡跃明  肖会敏 《应用数学》1994,7(4):382-389
本文对一般非线性系统,提出了三种高阶迭代学习控制算法:(Ⅰ)u_(h 1)=sum from j=1 to r(P_ju_(k-j 1) Г_je_(h-j 1));(Ⅱ)u_(k 1)=sum from j=1 to r(P_ju_(k-j 1) F_je_(k-j 1));(Ⅲ)u_(k 1)=sum from j=1 to r{P_ju_(k-j 1) (Г_j F_jd/(dt))e_(k-j 1)},其中u_(k 1)=u_(k 1)(t)表示系统第k 1次运行时的输入;e_k=y_k-y_d;y_d是系统所期望的输出;y_k是系统第k次运行时的输出;P_j,Г_j,F_j(j=1,…,r)是常数阵;进而给出了比较弱的收敛性条件。  相似文献   
49.
本文提出了多目标决策偏好及最优解的一般概念和集诱导偏好的概念.给出了判断ρ-完备集的一系列条件,从而指出了ρ-完备集是十分广泛的集类.得到了集合的Λ-有效点的存在性定理和ρ-下闭集与截面的Λ-有效点的性质.通过引入函数Λ-下半连续的概念,得到了多目标决策一般集诱导偏好最优解的存在性定理.在这些结果的基础上,最后得到了集合Y关于Λ和多目标决策问题的控制性质.  相似文献   
50.
在对定速风力发电机建模的基础上,设计了模型参考自适应控制器,并进行了跟随性能和抗干扰性能仿真,仿真结果表明自适应控制器的自适应能力很好.  相似文献   
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