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A layer of 40nm-thick Ag-SiN film with Ag nano-particles embedded and distributed randomly in the SiN thin film were deposited by the method of radiant-frequency magnetron sputtering. Specimens orderly comprising a random Ag-SiN film and an optical phase change recording layer were exposed to a focused laser beam with wavelength of 69Ohm. It is shown that, with a random Ag-SiN layer deposited above the recording layer. Calculation by the finite difference time domain method of a 4Ohm-thick SiN film under a Gaussian beam irradiation has been carried out to simulate the near-field distribution in the film, which showed a huge local near-field intensity enhancement of about 200 times if small Ag particles with diameter of 6 nm were modelled inthe SiN film in the central region of the in cident laser spot. 相似文献
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Z→3γ和γγ→γγ极化张量的一般形式 总被引:1,自引:1,他引:0
在标准模型下,讨论了Z→3γ衰变和γ→γ散射过程的单圈极化张量的一般形式.利用S3对称性和规范不变性对这种极化张量进行限制,从而得到一组约束方程.本文介绍了这种方法的主要步骤,并且将W玻色子圈的结果与费米子圈的结果作了比较. 相似文献
16.
讨论了浅海中波导的声波散射问题,我们将该问题归结为一个第一类边界积分方程,利用正同化方法求解,并证明了该方法的收敛性,数值例子表明了该方法的简单与有效性。 相似文献
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A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots. 相似文献
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