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21.
本文针对高压陡脉冲测量过程中由于对地电容引起的波形畸变,介绍了一种电感补偿方法,这种补偿回路简便、可靠,可使测量系统的方波响应得到明显的改善。  相似文献   
22.
应用Gauss积分法计算STP双中心重叠积分   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
23.
 开展了热容模式下激光介质动态光学畸变研究,初步分析了温度梯度、光弹效应及介质端面变形对整个波前畸变带来的影响,并将光学畸变转化为谐振腔损耗,数值模拟了热容激光器输出功率随时间的变化规律,模拟结果表明:当激光器工作温度低于400 K时,由粒子数玻耳兹曼分布引起的功率下降可以忽略,动态热效应是实验中热容激光器输出功率随时间快速下降的原因。  相似文献   
24.
牛顿环中心暗斑大小对测量结果影响的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文分析了牛顿环中心暗斑大小对测量结果的影响,并给出了解决方法。  相似文献   
25.
对于线性型多目标半定规划问题,引进加权中心路径的概念,并利用单目标半定规划的中心路径法,提出了求解多目标半定规划问题的加权中心路径法,先得型对一个叔向量的有效解,然后在此基础上,提出了通过一次迭代得到对应一定范围内其他任意权向量的有效解的一步修正方法.  相似文献   
26.
受激旋转拉曼散射对强紫外激光相位的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 利用瞬态受激旋转拉曼散射(SRRS)模型及相位畸变模型,对具有空间相位畸变的强紫外激光束在空气中长程传输的SRRS效应进行了研究。详细讨论了低频和中高频空间相位畸变对SRRS阈值条件、斯托克斯光转换效率、剩余泵浦光和斯托克斯光相位的影响。研究结果表明,泵浦光的初始相位畸变对斯托克斯光相位畸变的影响较剩余泵浦光的更为明显;高频相位畸变对转换效率影响较低频相位畸变更大; SRRS效应阈值随低频相位畸变的增大而减小,随高频相位畸变的增大而增大。  相似文献   
27.
书籍扫描图像畸变参数自动计算方法的研究   总被引:5,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
张全法  杜丽丽  申杰 《应用光学》2006,27(6):516-519
为实现书籍扫描图像的畸变自动校正,提出用多项式来描述各像素的理论灰度g(zi)与页面上对应点到扫描仪工作平面距离zi二者之间的关系。为确立该多项式,在畸变参数已知条件下扫描一幅图像,根据已知畸变参数求出zi,即可按最小二乘法原理由各像素灰度的实际值求出多项式的各个系数。实验证明,采用4阶多项式已能满足一般要求,并求出了各系数。对任意扫描图像,自动计算畸变参数的方法为:首先利用扫描图像上页边空白处各像素的灰度,对畸变参数进行估计,并求出zi的估计值;然后代入所确立的多项式,可求得g(zi);通过调整各畸变参数的估计值,直到g(zi)与gi最为接近,即得最佳畸变参数。用于图像校正实验,获得了较好的校正效果,最大误差由不校正时的41%下降到了6.9%。这使得无需用户测量并输入有关畸变参数即可进行自动校正。  相似文献   
28.
魏源源  秦庆 《中国物理 C》2006,30(Z1):43-45
由于储存环中各种元件误差的存在, 机器的实际运行模式与设计模式有一定的偏差. 目前广泛开展的响应矩阵方法研究, 可以分析出磁铁元件以及束流位置测量元件的误差, 使束流基本参数得到校正. 介绍了用响应矩阵分析方法, 在BEPC储存环上进行的局部轨道校正的实验研究, 以及BEPC储存环束流参数校正的模拟研究.  相似文献   
29.
The Center Problem for a Linear Center Perturbed by Homogeneous Polynomials   总被引:2,自引:0,他引:2  
The centers of the polynomial differential systems with homogeneous polynomials have been studied for the degrees s = 2, 3, 4, 5. for s = 2, 3, and partially classified for s = 4, 5. In this paper we recall and we give new centers for s = 6, 7 a linear center perturbed by They are completely classified these results for s = 2, 3, 4, 5,  相似文献   
30.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。  相似文献   
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