ZrO2—SiC复合材料的制备及导电特性的研究

ＺｒＯ２－ＳｉＣ复合材料的制备及导电特性的研究许小红任引哲（山西师范大学化学系临汾０４１００４）宋波毛裕文（北京科技大学物化系北京１０００８３）关键词氧化锆碳化硅复合材料热压烧结电阻率中图分类号Ｏ６１４．４１２近十几年来，电热体材料的研制开发和利用已...     

一种新型导电摩擦材料的研究

研究制备了一种用于电力机车导电滑块的新型导电摩擦材料－－金属纤维增强压型不透性石墨（MFRMIG），其主要性能指标为：弯曲强度82MPa；抗压强度138MPa；体积电阻率25μΩm。重点研究了导电填料体积含量对体积电阻率以及对材料弯曲强度的影响。机械强度及实车实验表明，该材料是一种优异的导电摩擦材料。     

磁处理对水的导电性能影响的研究

分析了目前研究磁化水性能所用方法的缺陷，用正交试验的方法研究了不同磁感应强度和不同流速的磁化水的电阻率变化，考虑了各因素之间的交互作用，找出了最佳水平搭配；同时研究了磁化水的电阻率随时间的变化，发现磁化水的电阻率的变化具有滞后效应。     

LaMnO_3和La_（0．927）φ_（0．073）MnO_3的结构与性能的对

合成了两个稀土复合氧化物ＬａＭｎＯ３和Ｌａ（０．９２７）φ（０．０７３）ＭｎＯ３，并对其进行了结构、电阻率、ＸＰＳ表面分析、水汽转化及二氧化碳甲烷化反应的催化性能测定。初步解释了结构与性能的关系。     

金属M_O阴极电阻率随温度变化的实验研究

给出了温度在 30 0～ 2 50 0K范围内 ,金属Mo的电阻率随温度变化的实验曲线 ,对实际工作具有一定的指导意义。     

电爆炸断路开关综述

叙述了金属导体电爆炸的物理过程，分析了金属导体电爆炸时电阻率的影响因素，从而确定电爆炸断路开关的一般设计原则。     

Mg掺杂调制铜铁矿结构CuAlO2多晶的微结构和电热传导

采用固相反应法制备铜铁矿结构的CuAl_1-xMg_xO₂ (x=0、0.005、0.01、0.02、0.03、0.04)多晶,研究了Mg掺杂对CuAlO₂多晶结构和性能的影响。Mg掺杂量x从0增加到0.02,样品均为菱方R3m单相,密度依次提高;所有样品呈半导体的热激活电输运行为,x=0.02样品在室温下的电阻率是未掺杂样品的1/19,热激活能显著下降(x=0时,ρ_{300 K}~5.54 Ω·m,E_a~0.328 eV;x=0.02时,ρ_{300 K}~0.29 Ω·m,E_a~0.218 eV),载流子浓度增加1个量级,主要因为Mg²⁺取代Al³⁺,引入新的受主能级。x>0.02时,MgAl₂O₄尖晶石杂相出现,使其电导率和热导率降低。CuAl_1-xMg_xO₂多晶的晶格热导率在总热导率中占绝对优势,且随温度升高(300~500 K)而下降,晶格热导Callaway模型模拟表明,所有样品的热阻主要源于点缺陷-声子散射。与x=0相比,x=0.02样品的室温热导率增大1倍(κ~13.065 0 W/(m·K)),声速增大,点缺陷-声子散射减弱,分析认为掺Mg形成强的Mg—O键,提高了晶体的弹性模量和声子频率,减弱了本征点缺陷、Mg掺杂引起的质量波动和应变场波动对声子的散射,同时Mg掺杂样品的密度提高也有利于增加热导率。     

直边界对电阻率测量的影响及修正

针对直线四探针法中直边界对硅片电阻率测量的影响开展了实验研究。结果表明,直边界会导致硅片电阻率测量结果偏大。依据实验数据,分析得到了存在单一直边界影响时的电阻率修正公式,并验证了该公式是有效、准确的。     

Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN

The optical quenching of photoconduetivity under dual illumination in GaN samples with different resistivity is investigated to reveal the variation of deep levels. The samples are grown by metal organic chemical vapour deposition without intentional doping. Quenching bands centered at 1.35 eV, 1.55 eV, 1.98eV, and 2.60 eV are observed. It is found that the 1.98eV quenching band is dominated in all the samples and the 2.60eV band is observed only in the high-resistivity samples. The possible defect levels responsible for the quenching bands and the origin of different quenching behaviour at 2.60eV are discussed. It is suggested that the defect level responsible for quenching at 2.60 eV plays an important role for the enhancement of resistivity.     

Pulsed DC magnetron sputtering of transparent conductive oxide layers

A comprehensive material study of different transparent conductive oxides （TCOs） is presented. The layers are deposited by pulsed direct current （DC） magnetron sputtering in an inline sputtering system. Indium tin oxide （ITO） films are studied in detail. The optimum pressure of 0.33 Pa （15Ar：202） produces a 300- nm thin film with a specific resistivity p of 2.2 × 10-6 Ωm and a visual transmittance of 81%. Alternatively, ZnO：A1 and ZnO：Ga layers with thicknesses of 200 and 250 nm are deposited with a minimum resistivity of 5.5× 10-6 and 6.8× 10-6Ωm, respectively. To compare the optical properties in the ultraviolet （UV） range, the optical spectra are modeled and the band gap is determined.