冲击波作用下CHBr／NaCl界面热弛豫特性研究

非透明材料冲击温度测量是通过对界面光辐射历史的观察实现的,因此对界面光辐射历史的研究是非透明材料冲击温度测量的基础。但由于冲击阻抗的失配导致界面上出现波的反射而引起温度的变化与界面热流动产生的温度变化交杂在一起,以及过程的瞬时性,使得对这一过程的实验研究显得非常困难,设计了一种界面波阻抗近似相同的特殊实验装置,用光辐射测量技术研究了在冲击压缩下CHBr3/NaCl界面的热弛豫过程,实验结果和理论分析表明CHBr3/NaCl界面的热弛豫时间在纳秒量级,与Grover等人的理论预估一致。     

聚变堆用结构材料CLF-1研究进展

本文报道了我院近半年来低活性铁素体／马氏体钢CLF-1的研究进展。通过微观组织观察和室温拉伸性能测试，证明该钢已具有优于Eurofer97的室温拉伸性能，而且得到了全马氏体的微观组织。     

用等离子体治疗牙病

等离子体清洗经常使用在材料处理和半导体工业上，虽然等离子体也可以快速地消灭细菌，但由于它们都处于高温状态，所以一直无法应用到生物医学领域．三年前，荷兰Eindhoven大学的一些物理学家发展了一种可在室温下工作的“等离子体针”。     

低温等离子体对材料的表面改性

 冷等离子体对材料的表面改性,通过放电等离子体来优化材料的表面结构,是一种非常先进的材料表面改性方法。冷等离子体的特殊性能可以对金属、半导体、高分子等材料进行表面改性,该技术已广泛应用于电子、机械、纺织等工程领域。等离子体是“物质的第四态”,它是由许多可流动的带电粒子组成的体系。等离子体的状态主要取决于它的化学成分、粒子密度和粒子温度等物理化学参量,其中粒子的密度和温度是等离子体的两个最基本参量。实验室中采用气体放电方式产生的等离子体主要由电子、离子、中性粒子或粒子团组成。     

空气/水界面水分子的取向和运动

对四种不同的实验构型下空气／水界面自由O-H键在3700cm~(-1)的和频振动光谱的分析表明,水分子在空气／水界面的取向运动只可能是在平衡位置附近有限角度之内的受限转动。界面水分子的自由O-H键取向距界面法线约33°,而取向分布或运动的宽度不超过15°。这一图像显著地不同于Wei等人(Phys. Rev. Lett.86,4799(2001))只通过单一的SFG实验构型所得出结论,即：空气／水界面的水分子在超快的振动弛豫时间内在很大的角度范围内运动。     

拉曼光谱及其检测时样品前处理的研究进展

拉曼光谱具有操作简单,所需样本量小,检测灵敏度高等特点,可进行现场快速筛查、检测及鉴别。样品前处理直接影响分析结果的准确度和精密度,而且操作繁琐费时。发展快速、高效的样品前处理技术进而结合拉曼光谱检测技术具有重要的研究意义,特别是与增强拉曼光谱相结合进行食品、农产品中等残留物的衡量检测已成为研究热点。本文阐述了拉曼光谱产生的原理,介绍了拉曼光谱的起源和发展,讨论了表面增强拉曼光谱技术、针尖增强拉曼光谱技术和壳层隔绝纳米粒子增强拉曼光谱技术,并对拉曼检测之前的样品预处理进行了讨论。     

传输交流的Bi2223/Ag高温超导带在不同取向交流外场下的交流损耗

在高温超导的电力应用中，如超导电机、变压器等，多数情况下，高温超导带材在通以交流传输电流的同时还处于交变磁场中。此时，超导体的交流损耗不仅依赖于磁场的大小，还与磁场相对于超导带面的取向有关。本文在77K及工频50Hz情况下，实验研究了单根多芯Bi2223/Ag高温超导带及两带并联时的交流损耗随着外磁场与带面夹角的变化情况；以及交流磁场对临界电流的影响情况；并对单根带及两带并联的实验结果进行了比较与分析。     

有限温度下正常金属/d波超导体结的隧道谱中的零偏压电导峰

在Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK）理论框架下，通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程，计算了考虑界面粗糙情形的正常金属／d波超导体结的零偏压电导峰值。研究表明：正常金属／d波超导体结的零偏压电导峰值随结的温度升高而降低，并强烈地依赖于d波超导体的晶轴方位和界面粗糙强度。     

用计算机测量PN结的反向物理特性

本对PN结反向物理特性，应用电子技术和计算机技术实现了对实验过程的控制和效据处理。     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。