Eu离子价态对Sr2MgSi207∶Eu发光特性的影响

分别在空气、还原气体、再空气、最后再在还原气体等气氛中通过四个步骤合成了Sr199MgSi2O7∶Eu0.01.在空气中合成的样品呈现出Eu2+和Eu3+两种价态的发光特征峰,而在还原气体中合成的样品,只呈现出Eu2+一种价态的特征发光峰,并且有长余辉和两个热致发光带.但若样品直接在还原气氛下合成,则只呈现一个热致发光带.样品在空气中合成产生空穴陷阱,此陷阱在还原合成气氛下仍被保留,并与还原气体合成条件下产生的电子陷阱有所区别,最终导致两个热致发光带.     

锗酸铋闪烁晶体的研究综述

锗酸铋(BGO)晶体是一种性能良好的闪烁晶体,在高能物理、空间科学、核医学等方面有着广泛的应用.作者综述了BGO晶体的发展历史、晶体的结构、晶体的生长及性能,从光谱特性、闪烁性能、辐照损伤和晶体缺陷三方面详细讨论了近年来BGO晶体的研究进展,分析了BGO晶体的发展前景.     

一种计算和分析二维光子晶体缺陷模式的方法

通过改进时域有限差分(FDTD)法,计算和分析了二维光子晶体的缺陷模式。运用一维时域有限差分算法和线性插值法在总场散射场(TF-SF)连接边界引入入射平面波,采用完全匹配层(PML)技术对外行波进行了有效吸收。计算和分析结果表明,在光子晶体非对称方向入射的平面波能激发所有的缺陷模式,选取合适的探测点位置收集电场值,经快速傅里叶变换(FFT)能得到所有的共振峰值。另外,采用该方法研究了二维正方介质柱光子晶体缺陷模的共振频率与缺陷介质柱半径和介电常量之间的关系。结果表明通过改变缺陷的半径和介电常量大小可以在光子晶体禁带中一定的范围内调节缺陷模式的共振频率大小。     

单晶硅智能切削退火至开裂过程中氢离子、晶体缺陷和应力演化的分子动力学研究

利用分子动力学模拟了智能切削技术中的离子注入过程和退火至开裂过程，重点研究退火至开裂过程中注氢单晶硅微纳尺度下的开裂行为，以及氢原子数目、硅晶体缺陷大小和平均正应力等参数沿注入方向分布的演化规律.研究结果表明：硅晶体开裂经历空位点缺陷形核和生长，但无明显的空隙缺陷局部扩展、空位缺陷生长并引起显著的空隙缺陷局部扩展、空隙缺陷Ostwald生长等三个阶段.开裂位置与注入过程后氢原子分布的浓度峰重合.在三个阶段中，由于氢扩散和变形的影响，氢原子、晶体缺陷和应力的分布随退火至开裂过程进展呈现不同的演化特性.此外，化学成键分析表明氢与硅发生化学反应，形成不同形式的硅氢化合物，退火至开裂过程中硅氢化合物将发生转化.论文建立的系统定量分析智能切削中晶片开裂的数值方法，可进一步用于智能切削技术的改进和优化.