C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

火工品可靠性试验数据的综合分析方法

升降法试验数据和固定刺激量下的成败型试验数据,是两种最常见的火工品可靠性试验数据．我们应用Markov链,研究了升降法试验数据下,感度分布参数的极大似然估计的特性．在此基础上,应用Bootstrap方法和Bayes方法,给出了综合分析两种试验数据的方法．最后,将该方法应用于520底火的可靠性鉴定,得出了有益的结论．     

Single-period Two-product Inventory Model with Reorder and Substitution

In market, excess demands for many products can be met by reorder even during one period, and retailers usually adopt substitution strategy for more benefit. Under the retailer's substitution strategy and permission of reorder, we develop the profits maximization model for the two-substitutable-product inventory problem with stochastic demands and proportional costs and revenues. We show that the objective function is concave and submodular, and therefore the optimal policy exists. We present the optimal conditions for order quantity and provide some properties of the optimal order quantities. Comparing our model with Netessine and Rudi's, we prove that reorder and adoption of the substitution strategy can raise the general profits and adjust down the general stock level.     

光束偏转法自动测试激光等离子体冲击波系统的研制

根据光束偏转原理，研制了激光等离子体冲击波自动测试系统的硬件和软件。该系统使用计算机与可编程序控制器作为上下位机，采取上下位机通讯的方式控制步进电机及二维移动架的移动，以改变探测光的相对位置，并利用单模光纤和光电倍增管将探测到的光偏转信号传入数字示波器进行存储，最后计算机将示波器中采集到的光偏转信号进行分析处理。使用该系统对激光等离子冲击波的衰减过程进行了实际测试，得到了较为理想的实验结果。     

用离子交换法从工业废液中回收钼

本文研究了用一种新型的离子交换树脂从两种工业度液中回收钼的方法。实验证明:树脂从这两种废液中能很好地吸附钼,吸附速度较快,钼饱和容量较高,达700mg/g干树脂以上。同时,用5.6％氨水进行解吸,钼的解吸性能较好,合格解吸液中钼浓度较高,达90～100g/L以上,该解吸液可直接用于酸化沉淀仲钼酸铵晶体。     

子系统为S≥3的非线性大系统在近平衡区内的稳定性

本文采用文[1,2]中提出的平衡结构法研究子系统s≥3的非线性大系统在近平衡区内的稳定性;得到了判别这类大系统稳定性的两个一般性准则.     

用干涉方法测量薄膜应力

基于基片弯曲法和牛顿环的基本原理,使用He-Ne激光器、扩束镜、凸透镜和带分光镜的移测显微镜,搭建了薄膜应力测量装置.采用直流溅射法制备了厚度为30~144 nm的银薄膜,衬底采用厚度为0.15 mm、直径为18 mm的圆形玻璃片.实验发现,薄膜厚度对银薄膜的内应力有显著的影响,在薄膜厚度很小时,随着薄膜厚度的增加,应力迅速增大,达到最大值后,随着厚度的继续增加,薄膜应力下降较快并趋于稳定值.