BNCT优化网格设计及相关算法研究

用MCNP蒙特卡罗程序模拟了硼中子俘获治疗(BNCT)3种国际基准网格模型, 并与 修正的Snyder椭球模型进行了比较. 在此基础上, 给出了一种保质量守恒、内存量少、易于产生输入文件的4种基本材料成分的BNCT网格模型. 计算结果表明, 在4mm网格下, 新模型可以达到基准模型的精度; 根据解析模型剂量随深度的变化规律, 研究构造了多网格组合模型, 在重要区域计算精度不损失的条件下, 计算时间大大缩短. 最后研究给出了一个既保证精度、又在可接受的时间内完成剂量计算的模型、样本数和相应的算法, 它基本上满足临床BNCT的要求.     

利用低能质子束产生高强度放射性束流

加拿大TRIUMF实验室利用¹¹C成功验证了一种产生高强度(～10⁸ions/s)放射性束流的方法. 该方法不同于普通在线同位素分离方法, 它利用了13MeV的低能强流质子束, 可以产生一系列核天体物理实验感兴趣的高强度放射性束流.     

绕圆柱体自由表面磁流体流动和传热的研究

本文对在不同雷诺数下,绕圆柱体的磁流体自由表面流动及传热进行了模拟,分析了磁场对绕流圆柱尾迹和涡分离的影响,获得了两种雷诺数下的电磁力密度、流场和温度场分布。结果表明,磁场不仅影响了流动的形态,而且对湍流有抑制作用,降低了自由表面的更新机制,从而减少了传热能力;在相同的Hartmann数下,相比低雷诺数下的流动换热情况,高雷诺数下的湍流不能被完全抑制,自由表面与尾迹的相互作用也较强,因而自由表面换热也较强。     

无限深球方势阱中粒子能级的一个简单近似解析式

本由ＷＫＢ方法和玻尔－索末菲量子化规则，求出了无限深球方势阱中粒子能级近似满足的超越方程；然后通过进一步近似，找到了粒子能级近似满足的解析式并对所得结果的精度进行了计算机分析。     

氙灯泵浦新型晶体Nd∶S－VAP调Q激光器腔内倍频研究

采用氙灯泵浦晶体Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ，ＫＴＰ晶体腔内倍频，实现了Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ晶体０．５３２５μｍ绿光激光ＢＤＮ染料片调Ｑ运转。测量了输出绿光激光的特性及不同腔长和染料片小信号透过率情况下的输出能量及脉冲宽度，给出了染料片调Ｑ腔内倍频的耦合波方程组，数值求解方程组，所得的理论数据与实验结果很好地相符     

突体剖面线型的流噪声机理分析和试验研究

本文在分析突体马蹄涡和湍流脉动压力特性的基础上，在中国船舶科学研究中心０３Ｂ水筒，试验比较了不同剖面线型的突体模型流动噪声，降噪效果３－５ｄＢ，提出了突体部面低噪声设计的实验依据和具体方法。     

聚合物微腔的研制及其特性分析

采用ＢＭＰＰＶ：ＰＶＫ的混合物作国源介质，将其按一定比例溶于氯仿中，并旋涂在具有９９．５％的反射率的ＤＢＲ上，其上蒸发３００ｎｍ的银膜，形成了面发射型微腔结构，其中ＤＢＲ在入射腔面，银膜为反射腔面，在激发波长３３７．１ｎｍ，频率２０Ｈｚ脉宽１０ｎｓ的氮分子激光器泵浦下，光谱明显等窄化，出现４６０ｎｍ和５３０ｎｍ两个比较强的发光峰，主峰国４６０ｎｍ半宽度为７ｎｍ。     

1．5GHz锯材超导腔的研制

介绍铌材超导腔的研制进展，重点讨论了国产铌腔的材料改性，以及相应的超导腔性能的改进．叙述了１．５ＧＨｚ铌腔的腔形设计，分析了铌材的射频性能和机械性能，制定了铌腔制作与后处理的特定工艺．最后给出了１．５ＧＨｚ铌材超导腔的低温实验结果．     

K2NiF4型结构的A2－xSrxBO4(A＝La, Dy, B＝Mn, Fe, Co, Ni)希土复合氧化物的合成

以典型的轻希土镧和重希土镝及碱土金属锶作为Ａ位离子，以过渡金属锰、铁、钴、镍作为Ｂ位离子，合成了Ｋ２ＮｉＦ４型结构的Ａ２－ｘＳｒｘＢＯ４希土复合氧化物，采用粉末Ｘ射线衍射技术考察了反应条件等因素对生成Ｋ２ＮｉＦ４型四方（Ｔ）结构上析影响，实现结果表明，四方结构的形成不仅与几何因素有关，而且与各组分的物理化学性质有关。各个不同的组成，生成四方相的温度范围也有所不同。适当地提高反应温度以及延长灼烧时间     

从防垢剂对碳酸钙晶形分布影响的角度研究防垢机理

为研究防垢剂的作用机理, 收集了不同防垢剂加入前后出现的碳酸钙垢. SEM分析表 明, 加入防垢剂前, 碳酸钙垢的SEM表现为方解石的六方柱和菱面体; 加入防垢剂后, 碳酸钙垢的形态发生变化, 且防垢剂的效果越好, 垢的形态改变程度越大. 进一步通过FT-IR, XRD对碳酸钙垢进行了定性、定量分析, 发现加入防垢剂后, 垢中除方解石外, 出现了六方方解石和文石, 且防垢率越大, 垢中六方方解石的含量越高. 上述结果说明, 加入防垢剂后垢形态改变的本质原因是垢中碳酸钙晶型分布发生了变化. 结垢过程主要包括不稳定相的生成和消失、介稳相的生成和消失、稳定相的生长三个阶段. 不出现防垢剂时, 介稳相可以转变为稳定相, 碳酸钙垢的主要成分为方解石; 加入防垢剂后, 防垢剂阻止了介稳相的生成和转化, 导致碳酸钙垢中出现了六方方解石和文石. 防垢率越大, 碳酸钙垢中六方方解石含量越高, 说明防垢剂主要通过将结垢过程控制在第二阶段或第一阶段而起到防垢作用.