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71.
有限维希尔伯特空间q广义相干态振幅平方压缩 总被引:1,自引:0,他引:1
构造了有限维希尔伯特空间q变形非简谐振子广义相干态,研究了它的振幅平方压缩效应,结果表明,该量子态存在振幅平方压缩效应,并且给出了压缩条件与参数s,r,q之间的关系。 相似文献
72.
激发双参数变形奇偶相干态的反聚束效应 总被引:3,自引:0,他引:3
通过在双参数变形奇偶qs相干态上重复作用玻色产生算符,构造了激发奇qs相干态aqs+m|α〉qso和激发偶qs相干态aqs+m|α〉qse,并用数值计算研究了参数m,s和q对反聚束效应的影响.结果显示:(1)当r较小时,对于偶qs相干态,激发可使原来强烈的聚束效应变为强烈的反聚束效应;(2)当q(q≤1)偏离1较远时,随着r2的增大,二阶qs相关函数出现振荡现象(即反聚束效应和聚束效应交替出现),其振幅和周期都随s和q的减小而增大,但不明显受m的调节;(3)当q→1时,二阶相关函数同样出现振荡现象,其振幅和周期不但随着s的减小而增大,而且明显地受到参数m的调节;(4)对于大多数r,二阶qs相关函数对s的敏感度大于对q的敏感度. 相似文献
73.
ZAHNGDa-Li LIJin-Bo DINGBin-Gang 《理论物理通讯》2003,40(3):353-356
Properties of the superdeformed bands of odd-odd nuclei in A~130 mass region are investigated systematically within the supersymmetry scheme including many-body interactions and a perturbation possessing the SO(5) (or SU(5)) symmetry on the rotational symmetry. The obtained γ-ray energies, the dynamical moments of inertia, and energy differences △Eγ - △Eγ^ref agree wlth experimental data. It shows that this approach is quite powerful in describing odd-odd nuclei in 130 mass region. 相似文献
74.
主动抛光盘技术是新发展起来的一种能够根据需要将抛光盘面实时地主动变形成离轴非球面来磨制深非球度高精度天文镜面的磨制技术。简单介绍了抛光盘变形控制结构和面形检测机构,对深非球面度面形变形进行了精度分析,探讨了主动抛光盘的动态响应和校正,并对抛光盘的改造提出了一些建议。 相似文献
75.
双变形镜自适应光学系统像差解耦研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对由大行程变形镜和高空间频率变形镜组成的双变形镜自适应光学系统中的像差解耦原理和限定像差校正算法做了理论分析。认为在高空间频率变形镜的斜率响应矩阵中加入限定像差向量,根据直接斜率法分别计算出两个变形镜的控制电压,可以实现两个变形镜分别对低阶像差和高阶像差的闭环校正。仿真研究了19单元变形镜和61单元变形镜组成的双变形镜自适应光学系统对低阶像差和高阶像差分别校正的情况,结果说明双变形镜自适应光学系统的校正效果与理想行程的单变形镜自适应光学系统的校正效果相当,避免了制作同时具有大行程和高空间频率两个特征的变形镜。 相似文献
76.
77.
静止水中单个上升气泡的直接数值模拟 总被引:3,自引:2,他引:3
本文发展了基于Front Tracking的直接数值模拟方法研究气液两相界面的迁移特性,该方法对气液两相采用半隐式的分步法直接求解N-S方程,耦合Front Tracking Method获得两相界面的三维变形。针对无边界以及垂直壁面附近静止水中的单个气泡上升过程进行模拟,研究气泡运动的机理以及气泡与壁面的相互作用。数值模拟准确再现了气泡的上升过程和变形,不同Re数下气泡的上升速度计算结果同经验关联式非常吻合,验证了该方法的有效性。随后分析了气泡周围流场的结构,发现壁面对气泡周围流场的抑制是壁面对气泡作用力的主要原因,将导致气泡逐渐偏离垂直壁面。 相似文献
78.
79.
本文应用原子核的宏观模型提出了一种比较简单的计算变形核电荷密度的方法.具体计算了192Os、154Gd、152Sm、174Yb、及144,148,150,152Sm等原子核的电荷密度分布.结果表明,宏观模型计算的结果能较好地与实验测量结果相符合.因此,只要根据变形核基态到各转动态跃迁几率或电多极矩的实验值,则可按本文方法,从理论上预言变形核的电荷密度分布. 相似文献
80.
We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials (x up to 0.5) on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content (55%) InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions. 相似文献