全文获取类型
收费全文 | 4330篇 |
免费 | 1604篇 |
国内免费 | 1157篇 |
专业分类
化学 | 1828篇 |
晶体学 | 295篇 |
力学 | 491篇 |
综合类 | 195篇 |
数学 | 97篇 |
物理学 | 4185篇 |
出版年
2024年 | 37篇 |
2023年 | 123篇 |
2022年 | 111篇 |
2021年 | 170篇 |
2020年 | 109篇 |
2019年 | 194篇 |
2018年 | 138篇 |
2017年 | 191篇 |
2016年 | 232篇 |
2015年 | 217篇 |
2014年 | 440篇 |
2013年 | 351篇 |
2012年 | 321篇 |
2011年 | 303篇 |
2010年 | 353篇 |
2009年 | 379篇 |
2008年 | 470篇 |
2007年 | 313篇 |
2006年 | 258篇 |
2005年 | 309篇 |
2004年 | 262篇 |
2003年 | 269篇 |
2002年 | 208篇 |
2001年 | 188篇 |
2000年 | 165篇 |
1999年 | 134篇 |
1998年 | 119篇 |
1997年 | 101篇 |
1996年 | 95篇 |
1995年 | 71篇 |
1994年 | 67篇 |
1993年 | 85篇 |
1992年 | 70篇 |
1991年 | 55篇 |
1990年 | 69篇 |
1989年 | 56篇 |
1988年 | 19篇 |
1987年 | 14篇 |
1986年 | 10篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1951年 | 2篇 |
排序方式: 共有7091条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
研究了原子化器温度、载气流速、KBH4 浓度等条件对流动注射 氢化物发生 原子吸收光谱法 (FI-HG -AAS)测定硒时的影响。建立了FI-HG -AAS测定大米中硒的分析方法。在优化的工作条件下 ,测定硒的最低检测浓度为 0 3 3 μg·L- 1,线性范围为 0~ 5 0 μg·L- 1,相对标准偏差小于 4% ,加标回收率为 94%~ 1 0 2 %。本法克服了传统的间断氢化物发生 原子吸收光谱法分析速度慢、样品耗量大、操作繁琐且因手工进样在进样速度和进样体积上容易带来误差等缺点。方法操作简便、快速 ,灵敏度及自动化程度高 ,已广泛应用于大米及富硒大米中微量硒的测定 相似文献
72.
73.
光电编码器温度漂移与补偿方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对光电编码器的温度漂移与补偿问题进行了讨论.在理论分析与实验的基础上,提出了一种理想的温度补偿方法. 相似文献
74.
75.
本文用超声相比较方法测定了高Tc超导体La1.85Sr0.15CuO4,La2CuO4和YBa2Cu3O7的纵波和横波声速,进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La1.85Sr0.15CuO4样品上,还进行了压力实验,发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热cV和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。 相似文献
76.
新型金属间化合物R_2Fe_(17)N_(2.4)的结构与磁性 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用适当的热处理,使氮原子进入到R_2Fe_(17)的结构中去.利用X射线衍射、磁测量和中子衍射技术研究了R_2Fe_(17)N_(24)的晶体结构和内禀磁性及其之间的联系.中子衍射研究结果表明,氮原子在Th_2Zn_(17)型菱方结构中,占据9e间隙位置.氮的加入使晶胞体积增大、Curie温度升高;使铁原子3d电子正负能带电子数目差额扩大、饱和磁矩增强;并且氮原子对稀土晶位的晶场效应有重大影响,导致Sm_2Fe_(17)N_(24)具有易磁化轴.所有这些效应使得Sm_2Fe_(17)N_(24)具备了研制高矫顽力永磁体的内禀性能. 相似文献
77.
田兴 《新疆大学学报(理工版)》1991,8(1):53-55
本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0~200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70~0.76μm之间选择。 相似文献
78.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
79.
80.
本文报道了BR水溶性Raman光谱的温度相关性及吸收光谱变化。讨论了导致光谱变化的热诱导引起的结构变化。 相似文献