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利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。 相似文献
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The nitrogen doping of ZnO film deposited by the magnetron sputtering method is subsequently realized by the hydrothermal synthesis method.The nitrogen-doped ZnO film is preferably(002) oriented.With the increase of hexamethylenetetramine(HMT) solution concentration,the average grain size of the film along the 002 direction almost immediately decreases and then monotonously increases,conversely,the lattice strain first increases and then decreases.The structural evolution of the film surface from compact and even to sparse and rough is attributed to the enhanced nitrogen doping content in the hydrothermal process.The transmission and photoluminescence properties of the film are closely related to grain size,lattice strain,and nitrogen-related defect arising from the enhanced nitrogen doping content with HMT concentration increasing. 相似文献
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生物学一条被勘察了无数次的信号通路可能还藏有不为人知的功能:防止蛋白生产线出现瓶颈效应。大肠杆菌需摄入含碳丰富的养分才能生长,并按照固定的顺序选择碳源。例如,当葡萄糖充足时,它就会停止合成用来运输和分解其他碳源(如乳糖或麦芽糖)的酶。20世纪40年代,剑桥大学生化学家Helen Epps和Ernest Gale观察到此现象,并将它命名为葡萄糖效应。现在知道其他糖类也能触发类似的响应,它们被统称为分解代谢抑制效应。 相似文献
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采用sol-gel法制备了Zn2+掺杂的锐钛矿相纳米TiO2薄膜电极.通过光电流作用谱和电流-电位(I-U)曲线研〖WTBZ〗究了掺杂不同浓度Zn2+的TiO2薄膜电极的光电特性.由光电流作用谱可知,Zn2+的掺杂可显著影响薄膜电极的光电流大小,且掺杂的最佳浓度与薄膜晶粒尺度有关.在320nm单色光照射下,掺杂浓度(摩尔浓度)为0.1%的薄膜电极光电流最大,与未掺杂的本征薄膜电极相比增幅达40%.I-U曲线表明,光照下,随电极电位由正到负逐渐降低,不同掺杂浓度的TiO2薄膜电极中均出现了阳极电流向阴极电流转换的现象,且Zn2+掺杂浓度可影响电极阳极电流的初始电位.另外,无光照的暗态下,各薄膜在负电位区域观察到了相似的随电位降低而迅速增大的阴极暗电流. 相似文献
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We characterize the structures of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (001) by molecular-beam epitaxy at low temperature. The results show that Ge1-xSnx films are fully strained even at high Sn composition. The in-plane lattice parameters remain exactly the same as that of the substrate. Depth sensitivity analysis of the lattice parameters indicates that the strains of the epitaxial films are all in homogeneity. The films are fully strained. Poisson ratios, the force constants for the bonds between Ge and Sn are estimated and discussed in the present paper. Raman results show Ge-Ge, Ge-Sn, Sn-Sn vibrational modes. The Sn-Sn bond aggregation may respond to the high quality of our films. The fully strained epitaxy films with high content of Sn may be useful in designing the high quality GeSn films. 相似文献
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