高温超导体的核磁共振研究

本文回顾了用核磁共振技术研究高温超导体的进展，着重介绍局域电荷分布，超导态性质以及赝能隙性质．除了CuO2面上的空穴密度总数外，Cu和O轨道上的空穴数的分布也是决定Tc的一个重要参数．核自旋晶格弛豫率以及奈特位移的实验结果显示，超导态的电子配对是d波单态配对．d波能隙函数里存在节点，使得准粒子从涡线中心“漏”到涡线外面．节点的存在也是非磁性杂质以及晶体无序会导致Tc明显降低的原因．45T高场下的实验发现，高温超导体的零温正常态是“费米弧”金属态．这说明赝能隙态和超导态是两个微观共存的物态．     

原子核内光子的有效质量

研究了无限大核子费密气体和有限原子核内电磁场的性质.由于电荷密度算符的基态期待值在核子费密气体内不为零,电荷的U(1)定域规范对称性自发破缺.微扰计算光子的自能可知在核子费密气体内光子有效质量与质子的标量密度有关.在饱和密度ρ0=0.16fm^－3的正常核物质中,光子有效质量为5.42MeV;在²³⁸U原子核的表面处,光子有效质量约为2.0MeV.在这一问题中,这两种方法是等价的.同时文章指出正是由于原子核表面处有质量光子的两体衰变导致在低能²³⁸U+²³²Th重离子碰撞实验中正反电子对尖锐谱线的发现.     

石墨烯氧化程度对Ni(OH)2赝电容性能的影响

基于密度泛函理论(DFT)设计了一系列不同氧化程度的还原氧化石墨烯片(rGNOs)并研究了其表面的氧化缺陷与吸附的氢氧化镍(Ni(OH)₂)之间的相互作用. 结果发现,rGNOs表面的含氧基团与Ni(OH)₂之间的吸附能与含氧基团的氧化程度相关. 在吸附Ni(OH)₂后,rGNOs的原子间距和电荷分布的变化也都受rGNOs表面的含氧缺陷的氧化程度影响. 理论计算的结果与实验观察的结果一致并能给出合理的解释.我们用简单的恒电位电化学沉积法有效地在rGNOs表面制备了粒径只有5 nm的Ni(OH)₂纳米粒子. 在Ni(OH)₂/rGNOs制备过程中,氧化石墨烯的电化学还原是关键步骤. Ni(OH)₂上吸附的Ni(OH)₂因具有更高的吸附能而使其与在镍膜表面直接吸附的Ni(OH)₂(在5 mV·s^-1下比电容为656 F·g^-1)相比具有更高的比电容值(在5 mV·s^-1下为1591 F·g^-1).rGNOs在吸附Ni(OH)₂后构型和电荷分布的变化导致Ni(OH)₂具有更低的等效串联电阻和更佳的频率响应.Ni(OH)₂/rGNOs优异的赝电容特性表明其有潜力成为新型赝电容器材料.     

Investigation into the Energy Band Diagram and Charge Distribution in A1GaN／GaN Double Heterostructures by Self-Consistent Poisson-Schroedinger Calculations

The energy band diagram and charge distribution of the unintentional doped AIGaN/GaN/AIGaN/GaN double heterostructure were obtained by self-consistent Poisson Schroedinger calculations. The severe band tilting and high two-dimensional electron gas (2DEG) density mainly attribute to the large internal polarization intensity,which is c/ose to a linear function orAl composition. The influence orAl composition is investigated. The results show that band tilting enlarges and 2DEG gains with AI composition, and two-dimensional hole gas occurs when AI composition reaches a certain extent. The influence orAl composition and two-dimensional hole gas (2DHG)on devices is discussed.     

用双极坐标求解带电导体圆柱和无限大接地导体平板间的电势

利用双极坐标求解了带电导体圆柱和无限大接地导体平板间的电势分布,并对带电导体圆柱表面的电荷分布及无限大接地导体平板表面的电荷分布作了讨论.     

应变Si NMOS积累区电容特性研究

积累区MOS电容线性度高且不受频率限制, 具有反型区MOS电容不可比拟的优势. 本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上, 通过求解电荷分布, 建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型, 并与实验结果进行了对比, 验证了模型的正确性. 最后, 基于该模型, 研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响, 为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用. 本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中, 为器件仿真奠定了理论基础. 关键词： 应变Si NMOS 积累区电容 台阶效应 电荷分布     

密度泛函理论研究对位卤代二苯醚的结构、电荷分布及光谱

利用密度泛函理论,对三种对位卤代二苯醚及二苯醚的分子结构、电荷分布及光谱振动进行定量化研究。选取B3LYP/6-31G(d)方法优化对位卤代二苯醚的分子结构,计算所获最优结构的红外及拉曼光谱振动频率,归属对位卤代二苯醚的光谱振动;借助核磁共振和密立根电荷分布计算,并结合二苯醚电荷分布分析引入不同对位卤素取代基对二苯醚各原子电荷分布的影响,从电荷分布角度研究对位卤素取代基对对位卤代二苯醚特征振动频率影响的变化规律和振动机理。结果表明：在对位卤代二苯醚最优结构下,对位卤代二苯醚取代基电负性越小,原子半径越大,C—X键长越大,越易被自然环境降解;对位卤素取代基的引入对二苯醚电荷分布影响较大,取代基电负性越大,醚键对位碳原子的电子云密度下降越多,间位碳原子的电荷分布变化受到卤素取代基与醚键氧原子的综合电子效应的影响,对邻位碳原子电荷分布影响不大;原子间电荷密度差对成键稳定性及特征振动频率影响较大,对位卤素取代基电负性越大,特征振动频率越高。