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551.
采用傅里叶红外光谱测试(FTIR)、热重法(TG)和微商热重法(DTG)研究了GAP和GAP处理硼的样品(GAP/B)在空气和氮气两种环境中的热分解。结果表明:GAP在约170 ℃开始发生叠氮基消除反应,250 ℃左右结束,GAP骨架的解聚反应延后了40 ℃左右;硼(B)改变了GAP的热分解过程,GAP/B在55~70 ℃开始分解,明显提前于GAP本身,而且,叠氮基的消除反应与GAP骨架的解聚反应几乎同时发生。基于Kissinger热分析数据处理方法,对GAP和GAP/B两种体系在叠氮基消除阶段的热分解动力学进行了研究,结果发现在空气环境中,两种体系的活化能E的数值均较低,较易于发生反应,这是由于GAP与空气中的氧发生有氧热解所致。 相似文献
552.
553.
554.
555.
首先采用共沉淀方法制备富锂锰基正极材料 Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2原始样品(P-LRMO), 然后通过简单的湿化学法以及低温煅烧方法对其进行不同含量 Ga2O3原位包覆。透射电子显微镜(TEM)以及 X射线光电子能谱(XPS)结果表明在 P-LRMO表面成功合成了 Ga2O3包覆层。电化学测试结果表明:含有 3 %Ga2O3的改性材料 G3-LRMO具有最优的电化学性能, 其在 0.1C倍率(电流密度为 25 mA·g-1)下首圈充放电比容量可以达到 270.1 mAh·g-1, 在 5C倍率下容量仍能保持 127.4 mAh·g-1, 优于未改性材料的 90.7 mAh·g-1, 表现出优异的倍率性能。G3-LRMO在 1C倍率下循环 200圈后仍有 190.7 mAh·g-1的容量, 容量保持率由未改性前的 72.9 %提升至 85.6 %, 证明 Ga2O3包覆改性能有效提升富锂锰基材料的循环稳定性。并且, G3-LRMO在 1C倍率下循环 100圈后, 电荷转移阻抗(Rct)为 107.7 Ω, 远低于未改性材料的 251.5 Ω, 表明 Ga2O3包覆层能提高材料的电子传输速率。 相似文献