大亚湾核电站周围大气流场监测数据同化分析

在大亚湾核电站周围大气流场分布模拟计算中,引入了一种简化的同化技术,用以解决观测数据在时间、空间上分布不均匀导致的流场预报误差.测试并分析了该同化技术对计算模式和初始场的影响,结果表明该同化方法对模式误差和初始场误差的抑制是显著的.     

Semiclassical approximation for transmission through open Sinai billiards

We use a semiclassical approximation to study the transport through the weakly open chaotic Sinai quantum billiards which can be considered as the schematic of a Sinai mesoscopic device,with the diffractive scatterings at the lead openings taken into account.The conductance of the ballistic microstructure which displays universal fluctuations due to quantum interference of electrons can be calculated by Landauer formula as a function of the electron Fermi wave number,and the transmission amplitude can be expressed as the sum over all classical paths connecting the entrance and the exit leads.For the Sinai billiards,the path sum leads to an excellent numerical agreement between the peak positions of power spectrum of the transmission amplitude and the corresponding lengths of the classical trajectories,which demonstrates a good agreement between the quantum theory and the semiclassical theory.     

Pulsed microwave damage trend of bipolar transistor as a function of pulse parameters

In the present paper we conduct a theoretical study of the thermal accumulation effect of a typical bipolar transistor caused by high power pulsed microwave (HPM), and investigate the thermal accumulation effect as a function of pulse repetition frequency (PRF) and duty cycle. A study of the damage mechanism of the device is carried out from the variation analysis of the distribution of the electric field and the current density. The result shows that the accumulation temperature increases with PRF increasing and the threshold for the transistor is about 2 kHz. The response of the peak temperature induced by the injected single pulses indicates that the falling time is much longer than the rising time. Adopting the fitting method, the relationship between the peak temperature and the time during the rising edge and that between the peak temperature and the time during the falling edge are obtained. Moreover, the accumulation temperature decreases with duty cycle increasing for a certain mean power.     

密集阵高功率微波空间功率合成

对基于矩形阵列的高功率微波二维密集阵阵列合成进行了研究。仿真分析了均匀矩形栅格阵列的远场方向图,结果表明采用密集阵可以实现高效的、具有确定主波束的空间功率合成。并分析了阵元间距及阵元初相位对阵列空间功率合成的影响,结果表明:阵元间距越小,栅瓣越少,主波束宽度越宽,具有确定主波束的临界距离越小;当目标高度超过阵临界距离时,阵元初相位相差越小合成效率越高,阵列初相位分布范围超过/2时,阵列得不到确定的主波束,进行阵列设计时应充分考虑阵元间距及初相位对阵列合成的影响。     

大功率单脉冲超声信号发生器的设计

为了提高探伤深度,实现混凝土大坝等散射强介质的超声检测,本文提出了一种成本低,小体积,结构简单的大功率单脉冲超声信号发生器,并给出了原理电路设计。所述装置利用控制电容充放电经脉冲变压器产生瞬时高压脉冲的新思路,克服了过去由于信号幅度限制功率上不去的困难。经实验验证该装置与现有的单脉冲信号发生器相比,探伤深度得到了很大提高,可用于混凝土结构构建的超声探伤。     

低温功率器件驱动电路实验研究

低温电力电子技术的发展日益得到重视,主要是由于功率器件(如功率MOSFET和IGBT等)在低温下表现出更好的性能,如更低的通态阻抗,更高的开关频率等.为了实验测试和充分利用功率器件在低温下的这些性能,急需寻找或设计可以在低温下稳定可靠工作的功率器件驱动电路.我们在对目前商业化的驱动芯片进行分析的基础上,从中挑选了三种在低温下进行实验,对其输出波形随温度的变化进行研究,首次发现了可以在-196℃(77K)稳定工作的驱动芯片,其驱动性能基本能够满足低温下驱动功率器件的要求,为功率器件低温特性测试及低温功率变换电路的设计奠定了坚实的基础.     

全固态高功率连续单横模Nd:YVO4/LBO绿光激光器

报道了激光二极管泵浦的高功率连续单横模绿光激光器。考虑到激光晶体因吸收泵浦光而产生的热透镜效应,我们选择低掺杂浓度Nd:YVO4激光晶体,设计了V字型热不灵敏折叠式驻波谐振腔,利用I类非临界相位匹配LBO非线性晶体,当泵浦功率为23 W时,得到7 W单横模532 nm绿光输出功率,光-光转化效率为33%,长期功率稳定性优于1.6%(自由运转3小时)。     

单谐振腔外部Q值的计算方法

 通过对带有耦合器的单驻波腔进行等效电路分析,推导出可计算带有耦合波导的单谐振腔外部Q值的反射相位法,该方法通过计算不同频率的反射相位来确定谐振频率和外部Q值。详细叙述了在CST Microwave Studio中用谐振模式求解法、直接时域跟踪法和反射相位法进行计算的步骤;用这3种方法分别计算了二次发射微波电子枪的外部Q值并和实验测量结果做了比较。结果显示3种计算方法都有很高的精度,但反射相位法的速度最快,耗时1 071 s。计算发现外部Q值与耦合口长度的4.1次方成反比。     

BEPCⅡ大功率波导真空阀门的研制

 大功率波导真空阀门是BEPCⅡ直线加速器微波系统的重点改进项目,作为微波大功率传输和真空密封双重功能的超高真空微波器件,机械结构比较复杂,制造工艺难度大。经过各方努力,已经研究完成16台大功率波导真空阀门,并在2004年全部安装在加速器上使用。目前进入到波导真空阀门的脉冲功率为30~50 MW,高功率运行工作状态良好。对阀门从设计原理、机械结构、微波测试及高功率运行等方面作了较详细的阐述。     

PPCP用固态脉冲电源的实验研究

 介绍了一种采用半导体开关与磁开关、可饱和脉冲变压器相结合技术的固态脉冲电源,此电源可用于脉冲放电等离子体烟气治理。在理论分析的基础上建立了实验模型,通过实验验证了此类电源的可行性,解决了8支晶闸管开关串联的动静态均压及开通同步性问题,并对可饱和脉冲变压器及磁开关的工作特性进行了分析计算。电源在阻性负载上得到峰值电压37.5 kV、前沿101 ns、脉宽1 μs的脉冲,重复频率300 Hz,输出功率10 kW。