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31.
32.
Jos Vargas Carlos Ramos Roberto D. Zysler Hctor Romero 《Physica B: Condensed Matter》2002,320(1-4):178-180
Chemically prepared (CoxNi1−x)1−yBy (x=0.5, 0.75, 1; y≈0.4) amorphous fine particles were characterized by X-ray diffraction, DTA and TGA, and in situ magnetic measurement as a function of annealing temperature in an inert atmosphere. Magnetic measurement performed in as-prepared and 150°C annealed samples shows an increase of the saturation magnetization and magnetic moment after thermal treatment. Room temperature magnetization increases by factors of 3.5, 1.8, and 1.5, for x=0.5, 0.75, and 1, respectively. These measurements may indicate a local re-ordering of the amorphous phase at temperatures much lower than the full crystallization temperature. 相似文献
33.
Memory switching of germanium tellurium amorphous semiconductor 总被引:1,自引:0,他引:1
M.M. Abdel-Aziz 《Applied Surface Science》2006,253(4):2059-2065
The dc conductivity and switching properties of amorphous GeTe thin film of thickness 262 nm are investigated in the temperature range 303-373 K. The activation energy ΔEσ, the room temperature electrical conductivity σRT and the pre-exponential factor σ0 were measured and validated for the tested sample. The conduction activation energy ΔEσ is calculated. The I-V characteristic curves of the thin film samples showing a memory switching at the turnover point (TOP) from high resistance state (OFF state) to the negative differential resistance state (NDRS) (ON state). It is found that the mean values of the threshold electrical field Eth decreased exponentially with increasing temperatures in the investigated range. The switching activation energy ΔEth is calculated. Measurements of the dissipated threshold power Pth and the threshold resistance Rth were carried out at TOP point at different temperatures of the samples. The activation energies ΔER and ΔEP caused by resistance and power respectively are deduced. The results obtained support thermal model for initiating switching process in this system. 相似文献
34.
C. Papatriantafillou C. E. Paraskevaidis C. Krikos P. Panagopoulos 《Journal of statistical physics》1989,54(1-2):191-200
We study a generalized Ising system consisting of a Bethe lattice on every site of which two spin-1/2 and two isospin-1/2 (or atomic species A) states can be realized, the spin-species interacting with appropriate nearest neighbor couplings. The system is equivalent to that of four states per site and we obtain its exact thermodynamic behavior. The case of a fixed concentration of species is the annealed or liquid magnetic binary alloy. The temperature dependence of the short-range-order (SRO) parameter of such systems is obtained as an application of the theory and discussed in connection with relevant material from the literature. When fixing both the concentration and the nearest neighbor spatial correlation of the species, we obtain Eggarter's formulas for the frozen-in species problem, which therefore are only approximately valid even on the Bethe lattice. 相似文献
35.
苯部分加氢制环己烯的非晶态Ru-M-B/ZrO2催化剂的表征 总被引:13,自引:0,他引:13
采用化学还原法,制备了高活性,高选择性非晶态RU-M-B/ZRO2催化剂,并将其用于催化苯部分加氢制环己烯,在140℃、5.0Mpa氢压下,苯转化40%时,环己烯选择性达到85%左右。环己烯最高收率达到52.1%,用XRD、SEM、BET比表面积测定等手段对摧化剂进行表征,XRD和SEM测试表明,RU-U-B/ZRO2属于非晶态,活性组分高度分散,XRD结果证实,在加氢过程中,非晶分解,RU晶化;温度愈高,RU晶化愈快,催化剂的活性、选择性与RU微晶的粒径有关,RU微晶粒径应控制在5nm左右,BET比表面积测定表明,ZRO2的负载提高了催化剂的比表面积,从而有利于活性组分的高度分散,并可阻止RU微晶的长大,讨论了B和ZRO2对提高选择性的作用。 相似文献
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37.
38.
铝是一种丰富廉价的有色金属,金属铝电池作为一种新型燃料电池,具有低成本、无毒害、高功率、高能量密度等优点。本文简述了金属铝电池的工作原理,并对铝阳极、空气阴极、催化剂、电解液和铝燃料电池的应用等方面的研究概况进行了叙述。 相似文献
39.
在0.01mol·L-1的氨水-氯化铵缓冲溶液(pH 9.3)中,镍(Ⅱ)于-1.25V(vs.SCE)出现一灵敏的方波伏安峰。镍(Ⅱ)浓度在1.5×10-6~1.0×10-4mol·L-1与伏安峰高呈线性关系,线性方程为ip(μA)=2.1870+0.6328c(μmol·L-1),相关系数为0.9991。方法的标准偏差为0.7%。该法应用于镍铜合金样品中镍的测定,结果满意。 相似文献
40.
Cu-12.7(wt)%Al合金从900℃高温淬至365℃~500℃温度范围等温不同时间(30秒至15分钟)的试样中形成了大量树枝状的γ_2相沉淀粒子。应用配有X线能谱仪(XEDS)和电子能量损失谱仪(EELS)的分析电子显微镜(JEOL JEM-2000FX型)对上还试样研究,结果表明:这些γ_2相粒子具有富铝的“核心”,长大到粒子线度大于约800nm后以不稳定方式生长成“花朵”状。生长过程中伴随着溶质元素Al由基体向γ_2相内的富集。而且在γ_2相粒子内部呈现出Spinodal分解组织的形貌特征,表明γ_2粒子内形成了化学成分调幅。EELS分析表明试样含氧。 相似文献