第一性原理研究[111]晶向硅纳米线电子结构，光学性质与压阻特性的应变效应

基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似（GGA），利用第一性原理方法计算研究了单轴应变对[111]晶向硅纳米线的电子结构、光学性质以及压阻性质的影响．能带结构和光学性质的结果表明：压应变导致硅纳米线的带隙明显线性减小，且使其由直隙半导体转变为间隙半导体，而施加拉应变后硅纳米线仍为直隙半导体材料，但是带隙略有减小，且价带顶附近的能带线产生了较为复杂的变化．由于能带的应变效应导致其光学性质也相应发生了较大改变：拉应变使硅纳米线的介电峰出现宽化现象，低能区内的光吸收增强，静态折射率和反射率峰值增大，而压应变的效果则相反．结合能带结构与压阻系数计算模型得到的压阻特性结果表明：随着压应变的增加压阻系数单调减小，这主要归因于空穴浓度随压应变显著变化引起的；而拉应变作用时，压阻系数呈现波动趋势，这主要是由于空穴有效传输质量的增加程度和载流子浓度的增加程度不同而相互竞争导致的．上述计算结果表明，设计基于硅纳米线的光电和力电器件时，需考虑其应变效应．     

稀土基氧化物忆阻器的研究进展

忆阻器是一种将电荷和磁通量关联起来的电路学基本元器件，在量纲上它与电阻相同，表现为随电压电流变换的非线性电阻变换行为。作为一种新型的非易失性存储器件，忆阻器具有结构简单、存储密度高和能够模拟生物神经突触等特性。因其独特的“记忆特性”，在阻变存储器、人工神经网络和非线性运算电路设计等领域被广泛的研究。其中，稀土基氧化物忆阻器因其更加稳定的性能和多元的应用前景，成为忆阻器研究关注的热门材料。但目前对于稀土氧化物材料，尤其对重稀土元素并没有较为全面的总结和归纳。因此，文章从忆阻器的结构、组成和电阻转换机理进行了论述。以元素为分类标准，系统地梳理从Y元素到Lu元素，国内外每种稀土氧化物以及稀土掺杂氧化物忆阻器在阻变存储器，人工神经网络等方面应用的重点工作。最后，对目前稀土基忆阻器研究遇到的问题和挑战进行了分析，总结了稀土基氧化物忆阻器优缺点，提出了目前可行的方法，并展望了发展趋势和应用潜力。     

基于R-C耦合跨阻设计的1 kHz～200 MHz宽带平衡零拍探测器

通过分析平衡零拍探测器的噪声来源，采用电阻-电容（R-C）耦合跨阻电路方案并优化跨阻放大电路结构，实现了一种低噪声、高共模抑制比的宽带平衡零拍探测器，工作带宽为1 kHz～200 MHz。当光功率为8 mW的1550 nm激光入射时：在5 kHz分析频率处散粒噪声功率比电子学噪声功率高12 dB，共模抑制比达到70 dB；在100 MHz分析频率处散粒噪声功率比电子学噪声功率高20 dB，共模抑制比达到66 dB。该探测器可以为低频引力波探测、高速连续变量量子密钥分发和高速量子随机数发生器等应用提供高性能的探测工具。     

Nafion(R)/TiO2复合膜的质子传导性能研究

0引言 Nafion(R)膜是质子交换膜燃料电池和直接甲醇燃料电池的首选电解质膜.该膜若要成功地应用于燃料电池,还需要解决2个关键问题:降低甲醇渗透率和提高Nafion(R)膜在高温的质子传导能力(即保水能力).目前主要靠在Nafion(R)膜的球状胶束中加入亲水性的无机纳米粒子解决这个问题[1～9].无机粒子的加入不仅可以有效地阻隔甲醇分子,而且因其亲水性可增加Nafion(R)膜在较高温度下的保水能力,使得Nafion(R)膜在较高温度仍可保持良好的质子导电性.     

剖析全国化学奥林匹克竞赛有机化学模块中学生的几点疑惑

针对高中生学习化学奥林匹克竞赛有机化学模块中的几点普遍问题进行剖析。结合历年竞赛真题讲解了甲基是否具有空间位阻、氧正离子中间体是否稳定、中间体和过渡态的区别、五元环和七元环哪个更容易开环、1-氯二环[2.2.1]庚烷和1-氯二环[2.2.2]辛烷哪个容易发生取代反应这5个问题。强调竞赛中有机模块的本质是考查对于基础知识的灵活运用，考生需要在学习过程中夯实基础知识，在此基础上提高思维能力，才能取得理想成绩。     

基于Cu2S电阻开关器件的光电记忆效应

硫化亚铜由于其独特的电和光学特性，被广泛应用于电阻开关存储和光伏器件.本文通过脉冲激光沉积/化学气相沉积两步法合成Cu₂S薄膜，该膜由纳米颗粒构成，结晶度高，在近红外区有较好的光吸收特性.蒸镀铜电极构成Cu/Cu₂S/P-Si结构忆阻器件后，器件表现出电子型双极阻变行为，其阻变机制由空间电荷限制电流和肖特基发射机制协同主导.此外，还探究了光对器件阻变行为的响应及机理.结果表明，在光照下，最大电流响应增加至暗态时的5倍.分析认为，光照使Cu/Cu₂S界面处的肖特基势垒减小，在高阻态下，阻变机制由肖特基发射机制转变为空间电荷限制电流机制，并使器件电导率增加.本工作为Cu₂S基光电协同响应忆阻器的研发提供了新思路.