Fe-V-N稀合金中空位复合体特性的研究(Ⅱ)

本文利用离散变分法,集团模型和三维数值弛豫技术,研究了Fe-V-N稀合金中V-N-空位复合体的几何构型,正电子湮没特性和电子结构。根据正电子湮没寿命实验的结果和总能量极小原理,确定了V和N在V-N-空位复合体中的最佳占据位置。分析了V-N-空位复合体的成键特性和电荷转移情况。 关键词：     

金属氢研究新进展

简要介绍了金属氢的研究意义和应用前景 ,详细评述了有关的高压实验方法和最近的研究成果及进展 ,特别是固体氢的相图、结构和相变 .近十多年来 ,随着超高压技术的发展 ,已能在金刚石对顶砧 (DAC)上产生30 0GPa的静态压力 ,并可进行高压原位实验研究 .对固体氢进行了高压拉曼、同步辐射X射线、光反射和吸收、同步辐射红外光谱等一系列高压物性和相变研究 .从而确定了固体氢的三个相 ,并提出了可能的相结构 .     

Pt-SDB疏水催化剂的研制

基于液相水-氢同位素催化交换的疏水催化剂研究已有近30年历史。从所报道的资料来看，目前用于重水提氚工艺中相转移的疏水催化剂主要集中在Pt-C-PTFE和Pt-SDB两类材料上。前者疏水性好，耐辐照稳定性好，后者催化活性好，但催化剂耐辐照稳定性稍差。拟在特制的SDB疏水材料上制备出催化活性好，性能稳定，满足使用要求的Pt-SDB疏水催化剂。     

Schottky Barrier Height Inhomogeneity of Ti／n—GaAs Contact Studied by the I—V—T Technique

The current-voltage characteristics of Ti/n-GaAs Schottky diodes measured over a temperature range of 78-299K have been interpreted on the basis of thermionic emission across an inhomogeneous Schottky contact.The experiment shows that the apparent barrier height (φap) increases from 0.437eV at 78K to 0.698eV at room temperature.the plot of φap versus 1/T does not exhibit a simple linear relationship over the whole temperature range,indicating that the barrier height distribution is more complicated than the frequently observed single Gaussian distribution.A new multi-Gaussian distribution model is developed.Our experimental results can be explained by a double Gaussian distribution of the barrier heights.The weight,the mean barrier height,and the standard deviation of the two Gaussian functions are 0.00001 and 0.99999,0.721 and 0.696,0.069 and 0.012eV,respectively.     

磁致伸缩系数的测量

为了避免非平衡电桥法测量磁致伸缩系数出现的漂移现象，本文提出了一种用光学干涉法间接测量磁致伸缩系数的实验方法。     

稀土的发射光谱分析

本文介绍了稀土分析的发射光谱法，包括（1）痕量稀土镧和钆的粉末筛选电极法，镧、钆、铕、镨、钕和钐的载体分馏法。（2）岩石和矿物中稀土分析的直接法（Pyc-aHOB法）和化学光谱法（ЛaКTИOHOBa法）。（3）氧化铕中稀土元素及杂质的光谱分析的全能量法和分馏法，稀土元素氧化物混合物的光谱全分析法。（4）钢中铈、镧和钡的测定（CopoКИHa法），钢、金属和合金中稀土元素的化学光谱测定，纯金属、钢及镍合金中铈、镧、钕、镨、铒、铥、钐和钇的测定等。     

金属表面生成氧化膜在电解质中的电位

测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=E_a⁰+sum from s=1 to 3|η_t,s|-1/(ne)v₇ΔG₇, E=E_c⁰-sum from s=4 to 6|η_t,s|+1/(ne)v₈ΔG₈.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式.