硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

还原温度对超细K－Co－Mo催化剂合成低碳醇性能的影响

 用溶胶－凝胶法合成了K－Co－Mo催化剂．样品经不同温度还原后，用于低碳醇的合成．XRD和HRTEM结果表明，样品是超细粒子，粒子尺寸为2～5nm．考察了催化剂的还原温度和反应条件对催化剂性能的影响．实验结果表明，还原温度对催化剂的活性有较大的影响，最佳还原温度为500℃．最佳反应温度范围为310～330℃．升高压力和空速可以提高醇的收率和选择性．在空速14400h－1，压力6．0MPa和温度310℃的条件下，醇的选择性为55．8％，收率为520．0g／（kg·h），MeOH／C2＋OH为0．27．催化剂稳定性良好，在200h的寿命实验中，活性基本不变．与文献中催化剂相比，超细K－Co－Mo催化剂对合成醇具有较高的活性和选择性，尤其是对C2＋OH的合成明显高于其他合成醇催化剂体系．     

多核配合物中金属间相互作用的电化学研究：取代三联吡？…

报道了２个取代三联吡啶配体（４′－苯基－２，２′：６′，２″－三联吡啶（Ｌ１）和４′－二茂铁基－２，２′：６′，２″－三联吡啶（Ｌ２）的Ｃｏ（Ⅱ）配合物（Ｃｏ（Ⅱ）（Ｌ１）２）（ＣｌＯ４）２．４ＣＨ３ＣＮ（１）和（Ｃｏ（Ⅱ）（Ｌ２）２）（ＣｌＯ４）２Ｈ２Ｏ（２）的合成及配体Ｌ２的配合物１和配合物２的晶体结构，电化学研究表明：在配合物２中，由于Ｃｏ＾２＋的作用，二茂铁基的氧化电位较配体Ｌ２中的二茂铁     

顺式-二(乙二胺)二硝基合钴(Ⅲ)苹果酸盐的晶体结构及手性识别

合成了标题化合物，并用X-射线衍射法确定了该分子的晶体结构。化合物Δ（λλ），Λ（δδ）－cis－[Co（en）2（NO2）2]2d，l-C4H4O5，Co2C12N12O13H22，Mr=657．94．晶体属单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数：a=13．969（4），b=6.440（1），c＝14．408（4）A，β=94.37（1）°，V=1292．3A3，Z=2，Dc=1．69g／cm3，μ=105.833cm－1，F（000）=668.最终偏离因子R=0.066，Rw=0．085。结构分析表明晶体存在无序现象，其阴离子C4H4O52-有两种排列方式。R-构型和S-构型的几率各为50％，手性识别是通过Δ构型的阳离子与阴离子R-构型C原子上羟基氧形成氢键相互作用；Λ构型的阳离子与阴离子S-构型C原子上羟基氧形成氢键相互作用而实现的。