后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

Formation Mechanism and Orderly Structures of an Iron Film System Deposited on Silicone Oil Surfaces

A new iron film system,deposited on silicone oil surfaces by vapour phase deposition method,has been fabricated and its formation mechanism as well as orderly structures has been studied,It is found that the formation mechanism of the films obeys a two-stage growth model,which is similar to that to the other metallic films on liquid substrates,Large and orderly structures are observed in the continuous iron films.The experiments show that the orderly spatial structures result from the local material gathering in these nearly free sustained films.     

四羧基锰酞菁作为超氧化物歧化酶和过氧化物酶模拟酶的研究

用核黄素 蛋氨酸光照法和黄嘌呤氧化酶 细胞色素C还原法证实,在1.0×10-6～1.0×10-5mol/L范围内四羧基锰酞菁(TcPcMn)表现出良好的清除超氧阴离子自由基(O—·2)的活性;用黄嘌呤氧化酶 NBT还原法测算出的TcPcMn清除O—·2的二级反应速率常数为7.77×105mol-1·L·s-1,表明TcPcMn作为超氧化物歧化酶(SOD)模拟酶能很好的抑制O—·2的还原性.TcPcMn既能催化H2O2与4 氨基安替比林和酚的显色反应,也能催化邻苯二胺的聚合,表明TcPcMn具有过氧化物酶(POD)活性.用邻苯三酚自氧法得出,TcPcMn将O—·2的氧化性转化成了POD和H2O2的氧化性.因此只要牺牲一定的POD底物,TcPcMn就可以清除掉因歧化O—·2而产生的H2O2,继而能避免因发生Fenton反应而产生氧化性高于O—·2的羟自由基,从而彻底消除O—·2的氧化性,与SOD相比,这是TcPcMn的一个优势.     

酞菁锌参杂二氧化硅凝胶基质的光谱学特征

利用溶胶-凝胶技术将四磺化酞菁锌（ZnPcS4）成功地引入到了二氧化硅凝胶基质中，制备了均匀掺杂的有机/无机复合干凝胶。研究ZnPcS4分子在溶胶-凝胶过程中紫外-可见吸收光谱的变化规律以探索其在复合体系中的存在状态。实验表明，在溶胶阶段，随着时间的延长，紫外-可见吸收光谱中单体的吸收峰强度增大，说明凝胶中酞菁单体的浓度增大；而形成凝胶后，随着时间的延长，紫外-可见吸收光谱中单体的吸收峰强度减小，二聚体的吸收峰强度增大，说明由于体系结构和微化学环境的变化，酞菁分子趋向于聚合。     

酞菁钴薄膜的折射率及吸收特性

通过真空镀法在单晶硅片上制备了酞菁钴薄膜，在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了ＣｏＰｃ薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。