EAST�ŵ����ֵģ�⼰����������

用TSC程序模拟了EAST装置等离子体放电的全过程。模拟中考虑了自举电流，并加入了离子回旋共振加热ICRH和快波电流驱动FWCD，得到了中心电子温度4.5keV、中心离子温度3.8keV、中心电子密度1.2×1020m–3的D形截面的等离子体。根据模拟结果对EAST装置进行了伏秒数分析，并研究了不同等离子体电流上升时间、有效电荷数Zeff对放电的影响。     

反向电流一定会相斥吗?——对楞次定律应用中一个问题的澄清

在一次楞次定律习题课中，有这样一个题目：如图1所示，光滑的水平桌面上放着两个完全相同的金属环a和b，当一条形磁铁的N极竖直向下迅速靠近两环时，则     

程控电流示波计时电位法

使用计算机产生极化电流具有纯度高，稳定性好和波形形状种类多等优点。研究了极化电流的频率，波形和相角对示波图的影响。对Ｃｄ＾２＋的测定的线性范围为２×１０＾－５～２×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ，相关系数为０．９９７，该方法可且希望用于分析测试和动力学方面的研究。     

电流控阈技术及二值 I2L 施密特电路设计

电流控阈技术及二值Ｉ~２Ｌ施密特电路设计黄瑞祥，杭国强（杭州大学电子工程系杭州３１００２８）在数字电路中，以往对施密特电路的分析与研究大多局限于用电压信号来表示逻辑值的电路，例如ＴＴＬ、ＣＭＯＳ、ＥＣＬ等电路［１－３］．然而，对于以电流为信号的电流型?..     

我国第一台FED荧光粉发光性能测试系统运转正常

在各种平板显示器件中，场发射显示(FED)是与阴极射线管(CRT)最为接近的一种显示方式，同属阴极射线激发荧光粉发光，因此，FED被认为是一种非常有潜力的显示技术。与CRT相比，FED是在低电压大电流下工作，传统的CRT荧光粉用在FED上会出现许多问题。为此，北京有研稀土新材料股份有限公司等多家单位都在进行FED荧光粉的研制。但在研制过程中，由于没有低压阴极射线激发下荧光粉发光性能测试的仪器，FED荧光粉的研制工作进展缓慢。     

恒电流吸附计时电位法的研究 Ⅱ.铜、铅的微分吸附计时电位法连测

研究了ＮＨ３／ＮＨ４Ｃｌ底液中，铜、铅与水杨基荧光酮（ＳＡＦ）形成的络合物在悬汞电极上的恒电流吸附计时电位溶出行为。讨论了富集时间，溶液ｐＨ值，溶出恒电流大小及铜、铅浓度比值等对ｄｔ／ｄＥ～Ｅ溶出曲线的影响。并得出了连测铜铅的条件。     

低电流密度下恒电流法制备的聚苯胺修饰电极

研究了低电流密度下恒电流法制备的聚苯（ＰＡ）修饰电极的性质及其影响因素，探讨了低电流密度聚合的ＰＡ膜的优点。发现此种条件下聚合的ＰＡ膜具有较好的电荷传输能力，它不仅对Ｂｒ＾－，Ｔｌ＾＋／Ｔｌ等电对的氧化还原反应有更好的电催化活性，而且对Ｈ＾＋的Ｎｅｒｎａｓｔ响应也更接近理论值。     

VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．     

超微半扁球电极的稳态电流理论及其验证

本文用苯醌在Ｍｃｌｌｖａｉｎｅ缓冲溶液（ｐＨ＝７．０）中的电化学可逆还原反应体系验证了超微半扁球电极上的稳态电流方程式，理论与实验结果相符，超微半扁球汞电极用电镀法制备。     

电场作用下苏氨酸的电流特性研究

制备了以液态苏氨酸为沟道材料的四端有机场效应晶体管,观测了其随着栅极电压的不同呈现出源漏两极之间不同的电学特异现象;还观测了苏氨酸在外电场作用下,阻抗随着源漏之间电压频率变化的关系,提出一个极性液体模型解释了其导电机理。