FeSi掺杂的MnNiO热敏材料的研究

本文采用ＦｅＳｉ掺杂的方法，在材料常数Ｂ值改变较小的情况下，明显的提高了热敏材料的电阻率，为获得具有较大实用价值的热敏电阻提供了非常有效的方法。通过分析表明：ＦｅＳｉｒ和ＭｎＮｉＯ发生反应，有利于尖晶石结构的形成。     

First-Principles Calculations of Elastic and Thermal Properties of Molybdenum Disilicide

The first-principles plane-wave pseudopotential method using the generalized gradient approximation within the framework of density functional theory is applied to anaylse the equilibrium lattice parameters, six independent elastic constants, bulk moduli, thermal expansions and heat capacities of MoSi2. The quasi-harmonic Debye model, using a set of total energy versus cell volume obtained with the plane-wave pseudopotential method, is applied to the study of the elastic properties, thermodynamic properties and vibrational effects. The calculated zero pressure elastic constants are in overall good agreement with the experimental data. The calculated heat capacities and the thermal expansions agree well with the observed values under ambient conditions and those calculated by others. The results show that the temperature has hardly any effect under high pressure.     

Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究

在 Si (l00) 衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的GeGe_xSi_1-x_/Si 应变层超晶格.用反射式高能电子衍射、x 射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman散射等侧试方法研究了Ge Ge_xSi_1-x_/Si超晶格的生长及其结构特性. 结果表明, 对不同合金组份的超晶格, 其最佳生长温度不同. x值小, 生长温度高; 反之, 则要求生长温度低. 对于x为0. 1-0. 6 , 在400-600℃ 的生长温度范围能够长成界面平整、晶格完好和周期均匀的GeGe_xSi_1-x_/Si应变层超晶格. 关键词：     

A New Way to Obtain Mo/HZSM-5 Catalyst with High Activity and Selectivity for Methane Dehydro-aromatization 一种制备高活性和高稳定性甲烷无氧芳构化Mo/HZSM-5的新方法

 采用气相化学沉积法对HZSM-5分子筛的外表面进行选择性修饰,然后将它作为载体制备Mo/HZSM-5 催化剂,并应用于甲烷无氧脱氢芳构化反应. 改性的催化剂比未改性的催化剂表现出更好的甲烷转化活性、芳烃选择性和稳定性,明显地抑制了积碳的生成. 利用核磁氢谱对催化剂进行了表征. 在未经改性的Mo/HZSM-5催化剂表面,平均每个晶胞中含有1.12个B酸中心, 而在改性后的催化剂表面,平均每个晶胞中只有0.61个B酸位. 说明在甲烷无氧芳构化反应中,少量的B酸中心即可达到反应要求,过多的酸性位只会导致更多积碳物种的生成,从而加快催化剂失活速度,降低其稳定性.     

表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响

采用S iH4-C3H8-H2气体反应体系在S iO2/S i复合衬底上进行了S iC薄膜的APCVD生长。实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面S iO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过“先硅化再碳化”的工艺方法可以较好地解决S iO2/S i复合衬底上S iC成核困难以及粘附性差的问题,同时还可以有效抑制S iO2中的O原子向S iC生长膜扩散。选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、S iH4硅化和C3H8碳化时间均为30 s的最佳生长条件时,可以得到<111>晶向择优生长的多晶3C-S iC外延薄膜,薄膜生长速率约为2.0~2.5nm/m in.     

乙酸烯丙酯的氢硅化反应

本文在对芳醛及环酮的氢硅化反应研究基础上, 进一步研究乙酸烯丙酯的氢硅化反应。(Ph~3P)~3RhCl作催化剂, 反应可在均相进行。采用假一级动力学方法, 以气相色谱法鉴测氢硅化产物生成的速率, 求得其反应速度常数, 进而分析其反应活性与反应物结构的关系, 并提出相应的可能机理。     

WSi_2/MoSi_2复合材料的摩擦磨损特性

选用 MM- 2 0 0型摩擦磨损试验机测定了不同载荷条件下 WSi2 /Mo Si2 复合材料与 45 #钢配副的干摩擦磨损性能 ,采用扫描电子显微镜和 X射线衍射仪分析讨论了其磨损机理 .结果表明 :WSi2 /Mo Si2 复合材料在高于 80 N载荷条件下具有比较稳定的摩擦磨损性能 ;在 85～ 1 3 5 N范围内其摩擦磨损性能优于 Mo Si2 材料 .WSi2 /Mo Si2 复合材料的磨损机理表现为脆性断裂和粘着磨损     

WSi2／MoSi2复合材料的磨擦磨损特性

选用MM－200型摩擦磨损试验机测定了不同载荷条件下WSw2/MoSi2复合材料与45^#钢配副的干摩擦磨损性能，采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析讨论了其磨损机理，结果表明：WSi2/MoSi2复合材料在高于80N载荷条件下具有比较稳定的摩擦损性能，在85－135N范围内其摩擦磨损性能优于MoSi2材料，WSi2/MoSi2复合材料的磨损机理表现为脆性断裂和粘着磨损。     

稀土/MoSi2复合材料的干摩擦磨损性能

运用M－2型摩擦磨损试验机测定了不同载荷条件下稀土／MoSi2复合材料与45钢配对件的干摩擦磨损性能，采用SEM观察了摩擦副表面的形貌和X射线分析了磨屑相组成，并探讨了其磨损机制。结果表明：稀土／MoSi2和MoSi2与45钢干摩擦时，在负荷不超过150N的范围内，其摩擦系数μ和磨损率W与负荷p间较好地满足关系式：W（或μ）＝a bp cp^2 p^3 ep^4，两种均具有优异的耐磨性能，在80－120N范围，稀土／MoSi2复合材料的磨损率比纯MoSi2材料的至少降低了65％；稀土／MoSi2材料的磨损机制主要是粘着磨损。     

甲基丙烯酸酯-含氢聚硅氧烷接枝物的合成与表征

Poly(methylhydrosiloxane) was modified with methylmethacrylate by the hydrosilylation reaction, using Pt as the catalyst. The reaction was operated at the high temperature( about 140℃ ).