生长在Si(001)衬底上应变合金层GexSi1-x的光学性质

采用经验的紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的应变合金Ge_xSi_1-x的光学常数进行了计算。应变对电子能带结构的影响,通过紧束缚参数随键角方向余弦的变化以及键长按经验的标度定则的变化而进行计算。其中标度指数根据对Ge和Si的畸变势常数的实验值进行拟合而确定。计算介电常数虚部时出现的动量矩阵元,根据对Ge和Si的介电常数虚部的实验曲线拟合而决定。列出了当x=0.2和1时的光学常数——介电常数虚部ε₂、折射率n、吸收系数α和反射率R的计算结     

HL-2A装置真空壁条件实验研究与装置改造的概念设计

本文对HL-2A装置开展的真空壁处理技术和壁条件研究结果进行了介绍。HL-2A主机改造的概念设计取得了新的进展，本文同时介绍了主机改造方案，并给出概念设计的初步结果。     

MoSi2表面电子结构

利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了Ｃ１１_b晶体结构的ＭｏＳｉ₂三种（００１）表面电子结构，分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度，与体结构相关原子态密度作了对比，并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言，以Ｍｏ原子为表层原子的表面结构最不稳定，以单层ｓｉ原子为表面的表面结构最稳定，该结论支持了Ｔ．Ｋｏｍｅｄａ等的实验结果^［１５］。 关键词：     

稀土强韧化MoSi2材料的室温性能

通过机械合金化-冷等静压-高温烧结工艺制备了MoSi     

Oligo-lysine Induced Formation of Silica Particles in Neutral Silicate Solution

Introduction Theformationofsilicastructuresunderthecontrol ofalivingorganism(biosilification)isawidespread phenomenoninnature,whichisfoundinmanylife formssuchasdiatoms,spongesandgrasses,etc.[1,2].Themostattractiveaspectofbiosilificationisthatex quisitestr…     

Siliconization for Wall Conditioning in the HL-2A Tokamak

The sputtering of impurities is caused by the interactions between plasma and the first wall, and the recycling of the gas affects the particle and energy transport of plasmas with a complicated mechanism in plasma operation. It is important for present tokarnaks to achieve a good confinement and high performance plasmas by means of controls of the vacuum condition, usage of low Z materials, control of the recycling of neutral particles and suppressions of the appearances and yield of impurities. For higher plasma parameters, some of the first wall of HL-2A is covered with graphite materials and carbon fiber tiles. Hence the studies on the in-situ coating application and development, and the interactions between the coating film and plasma are needed to effectively control the impurity, improve plasma confinement and achieve high performance plasma.     

HL-2A装置器壁硅化实验

中国环流器2A（HL-2A）是我国第一个运行于偏滤器位形的托卡马克装置，为在较高等离子体参数下深入开展改善约束、大功率二级加热和电流驱动和加料等国际前沿工程与物理课题的实验研究，其第一壁将覆盖大面积的石墨材料和碳纤维保护瓦。因此，HL-2A装置器壁原位处理技术的应用和发展，涂层与等离子体相互作用特性的研究对有效控制杂质的产生，改善等离子体约束性能，提高装置实验运行参数都具有重要的意义。     

MoSi2薄膜电子性质的第一性原理研究

采用第一性原理计算方法, 研究了四方MoSi₂薄膜的电子性质. 计算结果表明, 各种厚度的薄膜都是金属性的, 并且随着厚度的增加, 其态密度与能带结构都逐渐趋近于MoSi₂块体的特性. 通过对MoSi₂薄膜磁性的分析, 发现三个原子层厚的薄膜具有磁性, 其原胞净磁矩为0.33 μ_B; 而当薄膜的厚度大于三个原子层时, 薄膜不具有磁性. 此外, 进一步对单侧加氢饱和以及双侧加氢饱和结构下三原子层MoSi₂薄膜的电子性质进行了研究, 发现单侧加氢饱和的三原子层MoSi₂薄膜具有磁性, 其原胞净磁矩为0.26 μ_B, 而双侧加氢饱和三原子层MoSi₂薄膜是非磁性的. 双侧未饱和与单侧加氢饱和的三原子层MoSi₂薄膜的自旋极化率分别为30%和33%. 这些研究结果表明, 三原子层厚的MoSi₂ 超薄薄膜在悬空或者生长于基底之上时具有金属磁性, 预示着它在纳米电子学和自旋电子学器件等方面都有潜在的应用前景.     

Wall Conditioning Operation on the HL-2A Tokamak and Conceptual Design for the Device Modification

During the 2006 experiment campaign of HL-2A, about 2000 shots have been implemented, the plasma current of 433 kA and 3.0 s duration have been obtained. The wall conditioning methods such as glow discharge cleating （GDC） , siliconization and Ti sublimation were applied. The experiment results of wall conditioning research will be introduced in this report. At the same time, the conceptual design of modification of HL-2A tokamak has obtained great progress, two modification schemes have been obtained, and the conceptual design results will be presented.