Antiphase State in Passively Q-Switched Yb：YAG Microchip Lasers with a Nd,Cr：YAG as Saturable Absorber

We experimentally investigate the antiphase dynamics phenomenon that occurs in a diode-pumped passively Q-switched Yb:YAG multimode laser with a Nd,Cr:YAG saturable absorber. Due to the effect of spatial hole burning, the multimode lasers with one, two, or three modes at different pump power are observed, and the pulses sequences display classic antiphase dynamics.     

稀土配合物Eu(asprin)_3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。     

离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征

将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层.利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式.结果表明，Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2结构相.真空下的红外光辐照处理促使YSi2择优取向生长，埋层中Si与Y的平均原子浓度比由24下降为20，与六方YSi2的化学计量比一致.还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱.     

Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd：GdVO4)单晶，并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑，测定了(100)面晶体位错密度为600个／mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌，可采用简单光学方法确定晶体方向。     

稀土的发射光谱分析

本文介绍了稀土分析的发射光谱法，包括（1）痕量稀土镧和钆的粉末筛选电极法，镧、钆、铕、镨、钕和钐的载体分馏法。（2）岩石和矿物中稀土分析的直接法（Pyc-aHOB法）和化学光谱法（ЛaКTИOHOBa法）。（3）氧化铕中稀土元素及杂质的光谱分析的全能量法和分馏法，稀土元素氧化物混合物的光谱全分析法。（4）钢中铈、镧和钡的测定（CopoКИHa法），钢、金属和合金中稀土元素的化学光谱测定，纯金属、钢及镍合金中铈、镧、钕、镨、铒、铥、钐和钇的测定等。     

SrO－La_2O_3／CaO催化剂表面的碱性和催化行为Ⅰ．CO_2－TPD及进料中CO_2对催化行为的影响

添加ＳｒＯ使Ｌａ２Ｏ３／ＣａＯ催化剂的碱性增强及甲烷氧化偶联反应的Ｃ２产率提高，但反应温度随ＳｒＯ含量增加而升高．反应活性高的ＳｒＯ－Ｌａ２Ｏ３／ＣａＯ催化剂，容易被ＣＯ２中毒．催化剂失活的主要原因是表面活性位被碳酸盐覆盖．催化剂失活之前，反应气中添加ＣＯ２可抑制产物中ＣＯ２的生成，提高Ｃ２产率     

电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％相似文献   

R_2Fe_17_C化合物的结构与内禀磁性的研究

本文系统研究了R_2Fe_17_C(R=Y,Sm,Gd,Tb、Dy.Er) 化合物的结构与内享磁性, 井与相应的R_2Fe_17_C 化合物进行了比较.R_2Fe_17_C 的居里温度比相应氏R_2Fe_17 的居里温度增加大约200K. 本文讨论了C 原子对该化合物结构与磁性的影响, 同时, 还对Sm_2(Fe_1-xCo_x)_17C系列化合物进行了研充. 关键词：