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51.
曾人杰  林仲华等 《电化学》2001,7(4):413-420
选用典型的二氧化钛纳米超亲水薄膜,用扫描探针显微镜(SPM)和电化学测试系统进行了一般性的表征。着重运用固体化学和纳米力学的原理,对SPM图像、氧空位浓度和超亲水性的机理进行理论分析;进一步解释了作者于1999年底提出的,与润湿性能有关的二氧化钛缺陷生成反应方程、普通表面物理模型、两憎(amphiphobic)表面概念和材料表面设计问题。  相似文献   
52.
选用典型的二氧化钛纳米超亲水薄膜 ,用扫描探针显微镜 (SPM )和电化学测试系统进行一般性的表征 .着重运用固体化学和纳米力学的原理 ,对SPM图像、氧空位浓度和超亲水性的机理进行理论分析 ;进一步解释了作者于 1999年底提出的 ,与润湿性能有关的二氧化钛缺陷生成反应方程、普适表面物理模型、两憎 (amphiphobic)表面概念和材料表面设计问题  相似文献   
53.
导弹贮存可靠性评估   总被引:11,自引:0,他引:11  
本文针对导弹上不同部件在长期贮存中、所受影响不同及可修性不同等特点 ,将弹上部件分为五类 .在此基础上、研究给出了该类导弹的贮存可靠性物理模型和相应的数学模型 ,可称作配套系统模型 ,并通过一个简单实例介绍了具体计算方法  相似文献   
54.
龙旺章 《数学通讯》2001,(11):23-23
题 1 已知a >0 ,b >0 ,0 <x <π2 ,求函数f(x) =asinx bcosx的最小值 .图 1 题 1图解 如图 1,APB为一以 |AB|=1为直径的半圆 ,设A点有带电为a的点电荷 ,B点有带电为b的点电荷 .对于弧上一点P ,令∠PAB =x ,则AP =sinx ,PB =cosx ,根据点电荷U =k Qr 及电势叠加原理 .则P点电势UP=kasinx kbcosx=k(asinx bcosx) (k为静电常数 ) .这样 ,原问题便转化为在APB上找一点P0 ,使UP0 为最小值 .设想有一单位正电荷e从B点沿圆弧自由运动 ,由其总能量守恒可知 ,当…  相似文献   
55.
李平  汪秉宏  全宏俊 《物理》2004,33(1):28-33
金融物理学是物理学概念和方法应用于金融分析的一门新的交叉学科,近年来受到人们的广泛关注.文章简述了金融物理的研究方向和研究方法,重点讨论了价格涨落的统计分析和相关的物理模型.  相似文献   
56.
慢电子与原子,分子碰撞的理论研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
艹勾清泉教授建立的慢电子散射物理模型被广泛用于研究电子、正电子与原子、分子碰撞,通过三十多年的研究实践证明艹勾清泉教授慢电子散射物理模型是成功的  相似文献   
57.
浅谈物理课的形象化教学   总被引:1,自引:0,他引:1  
 物理,作为中学课程的主要学科,要让学生学好它,教师不仅要讲好抽象的理论知识,更要把这些“抽象”的物理知识“形象化”(通过实验、类比、推理和举例等),在教学中给学生建立起“形象”的“物理模型”,使学生在进行抽象的逻辑思维的同时,能“形象”地观察和理解好有关的物理现象,培养其形象的思维能力,以此引起中学生学习物理的兴趣,收到良好的效果。现仅从三个方面浅谈一下这个问题。  相似文献   
58.
关于高中物理学习的对话   总被引:1,自引:0,他引:1  
 物理是高中阶段的一门重要课程。同学们经过一段时间的学习,既对高中物理的特点有了一定认识,也对物理学习中的酸甜苦辣有了切身体验。不过,对如何才能学好物理,大家可能还有些困惑,今天,老师打算与同学们共同探讨一下这个问题。学生甲:老师,请您谈谈物理是怎样的一门课程,好吗?  相似文献   
59.
孙伟  王印忠 《物理实验》2004,24(12):18-19
物理模型是对基础知识的高度概括,具有典型性、方法性等特点.物理模型是从一类物理问题出发,抓住问题的本质,删除次要因素,集基础知识与基本规律于一体.同时,物理模型不仅是知识的结晶,也是思维的结晶,从物理模型的建立中体会将物理知识应用于解决实际问题的思维和方法。  相似文献   
60.
本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO2界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷Hit(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔGP≥0.503eV;当栅压使Si-SiO2界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔGP时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着半导体表面电位势的缩小,它的空穴表现激活能明显增大;它对空穴的俘获过程造成合脉冲宽度的多指数电容瞬态,难于用有限宽度的脉冲电压引进的空穴对其作饱和填充。上述实验结果表明:热氧化生长形成的Si-SiO2系统的能带是从共价键硅的能带连续过渡到SiO2的能带;Hit(0.503)分布在其中的过渡区中,它的能级与价带的距离随着离开硅表面越远而越大。  相似文献   
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