共聚单体对水相合成聚丙烯腈及其湿纺纤维结构与性能的影响

水相自由基聚合具有快速、高效的特点,是开发大规模、低成本的聚丙烯腈(PAN)基碳纤维原丝生产技术的首选工艺。本文采用该工艺制备了丙烯腈-衣康酸(P(AN-IA))和丙烯腈-醋酸乙烯酯(P(AN-VAc))两种共聚物,再经溶解和湿法纺丝将其制成纤维。采用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、旋转流变仪、旋转粘度计、X-射线衍射仪(XRD)和差式扫描量热/热重同步分析仪(DSG/TG)对比研究了两种共聚单体对水相合成PAN聚合物及其湿纺纤维结构与性能的影响。结果表明,与醋酸乙烯酯(VAc)相比,衣康酸(IA)降低了PAN聚合物的颗粒团聚程度和溶液粘度,显著提高了PAN纤维的截面圆整度和结构致密性,大幅降低了热稳定化反应起始温度、提高了热稳定性。这主要归因于IA的两个羧基基团。其改善了PAN聚合物的亲水性,使凝固过程更加缓和;减弱了氰基间的作用力,提高PAN分子链的运动性;能够诱导氰基在低温下发生环化反应。     

氧氯化锆湿法生产工艺及其废渣处理研究进展

介绍了我国氧氯化锆的生产概况,对氧氯化锆湿法生产工艺特别是目前我国大多数企业所采用的"一酸一碱法"生产工艺及其废渣处理研究进展进行了评述.指出当前我国氧氯化锆生产技术相对落后,能耗、污染较大,国内氧氯化锆生产企业要想取得更大的发展,必须不断的进行工艺改进和技术革新,尤其是要解决好锆硅渣的处理问题.     

应用水汽相变促进湿法脱硫净烟气中PM_(2.5)和SO_3酸雾脱除的研究

在石灰石-石膏法脱硫净烟气中分别采用添加适量蒸汽和湿空气方式建立PM_(2.5)和SO_3酸雾凝结长大所需的过饱和水汽环境,在测试分析湿法脱硫净烟气中PM_(2.5)及SO_3酸雾物性的基础上,考察了蒸汽及湿空气添加量、脱硫净烟气温度等的影响。结果表明,湿法脱硫净烟气中PM2.5除含有燃煤飞灰外,含Ca SO_4、Ca SO_3及未反应的Ca CO_3等组分;由于SO_3酸雾基本处于亚微米级粒径范围,湿法烟气脱硫(WFGD)系统对SO_3酸雾的脱除率仅为35%-55%;添加适量蒸汽及湿空气方式均可促进湿法脱硫净烟气中PM_(2.5)和SO_3酸雾脱除,最终排放浓度随蒸汽或湿空气添加量的增加而降低,其中,添加蒸汽方式适合于脱硫净烟气温度较低(≤50-55℃)的场合,在脱硫净烟气温度较高(≥55-60℃)时,利用添加湿空气方式替代添加蒸汽更具技术经济优势。     

电感耦合等离子体-原子发射光谱测定鱼肉中常见营养元素的样品消解方法

使用干法灰化消解、湿法全消解和湿法半消解三种不同的样品消解方法,结合电感耦合等离子体发射光谱仪测定了淡水鱼和海水鱼两种不同鱼类中的K、Na、Ca、Mg四种常见营养元素的含量。结果表明各元素回收率在91%~109%之间,除Ca外其余元素相对标准偏差小于5%。湿法半消解同其它消解方法相比,缩短了检测时间,提高了分析效率,能够更加有效、快速、准确地测定鱼肉中的K、Na、Ca和Mg元素的含量。     

硒碳糊电极差分脉冲伏安法测定湖水中Sb~(3+)

以石墨粉、Se粉和石蜡为原料制备了掺杂Se粉的碳糊电极(SeCPE)。以SeCPE为工作电极,通过差分脉冲伏安法(DPV)对溶液中Sb~(3+)进行测定。优化条件如下:硒粉比例20%、HCl浓度0.36mol/L、沉积时间60s、沉积电位-0.45V。结果表明,Sb~(3+)的浓度在1.0×10~(-7)~1.0×10~(-5) mol/L范围内与峰电流呈线性,线性相关系数R=0.9980,计算得检出限为0.3×10~(-7) mol/L。该电极具有良好的重现性、再生性和较高灵敏度。     

锑胁迫下腐殖质对头花蓼体内锑形态及生化特性影响

锑(Sb)是一种无延展性的有色金属,具有潜在毒性和致癌性,对心血管、呼吸系统和肝脏等都会造成危害。并且,随着近几年锑资源的持续开发,土壤中的Sb污染被广泛关注。腐殖质具有复杂结构并包含有羧基、醇羟基等多种活性官能团,对重金属在土壤中的形态转化、迁移能力以及生物可利用性具有重要影响。头花蓼作为民间常用草药并且也是贵州省特色苗药,在土壤Sb背景值极高的独山锑矿区不仅能大量生长,并且在其体内Sb含量远高于其他未受污染的陆生植物时,仍然可以表现出良好的生长状态。为了探究腐殖质对独山矿区内Sb污染土壤中头花蓼植物有效性的影响。选取贵州省独山县东峰Sb区附近Sb污染土壤与头花蓼种子作为试验样品,通过三种不同腐殖质富里酸、胡敏素、胡敏酸对Sb污染土壤进行30d的培育实验后种植头花蓼。结果表明：(1)腐殖质添加后使得头花蓼叶绿素总量整体呈现上升的趋势,加强了头花蓼光合作用。(2)头花蓼的逆境生理现象表现为：在低添加量下,胡敏素实验组与胡敏酸实验组中丙二醛含量下降,SOD酶活性升高,CAT酶活性下降;说明胡敏素和的胡敏酸在低添加量下能够有效缓解头花蓼所受到的Sb毒害;而高添加量富里酸对头花蓼有一定损害。(3)低添加量的胡敏酸能够有效缓解头花蓼植株所受到的重金属Sb、As、Cd、Cu胁迫。(4)相比于胡敏素和胡敏酸,富里酸更容易促进头花蓼体内残渣态Sb向更活跃的赋存形态转化;胡敏酸对头花蓼中的Sb赋存形态表现出了低浓度活化而高浓度钝化的现象;胡敏素则能够有效降低头花蓼体内Sb活性。     

酸液辅助电化学氧化法脱除单质汞性能研究（英文）

以铂片为阴极,氟掺杂二氧化锡(FTO)玻璃为阳极,提出了一种新型酸液辅助电化学氧化法(AEO)脱除单质汞(Hg⁰)技术,探讨了酸类型、硝酸浓度、外加直流电压、电解质类型、SO₂、NO和O₂对脱汞效率的影响。研究结果表明,随着直流电压和硝酸液浓度的升高,脱汞效率逐渐上升;硝酸浓度增加至0.15 mol/L后,脱汞效率保持不变;SO₂和NO抑制了AEO体系中Hg⁰的去除,但这种抑制是可逆的。与单独实验条件的脱汞效率相比,在0.1 mol/L硝酸、4 V直流电压的实验条件下,电化学氧化脱汞的效率可达96%,硝酸与直流电压的协同作用起关键作用。基于实验结果,分析了AEO系统中脱除Hg⁰的机理：在阳极,Hg⁰被阳极表面氧化反应产生的羟基自由基(·OH)氧化去除;在阴极,溶解性氧或吸附在Pt表面的O₂经还原反应生成阴离子超氧自由基(·O₂^-)。在酸性条件下,电子会促进·O_...     

UV/H2O2工艺湿法脱除燃煤烟气中NO的研究

在自行设计的内置紫外光-鼓泡器中，利用UV/H₂O₂高级氧化工艺湿法脱除燃煤烟气中的NO气体。主要对紫外光强度、H₂O₂初始浓度、NO初始浓度以及烟气总流量对NO脱除效率的影响进行了考察。研究结果表明，在实验范围内，NO脱除效率随着紫外光强度和H₂O₂初始浓度的增加而增加，但当达到一定值后，NO脱除效率的增加幅度均变得相对平缓；NO脱除效率随着NO初始浓度以及烟气总流量的增加呈近似线性减小。通过离子色谱对液相离子产物进行了定性与定量检测，并对NO中的氮元素进行了物料平衡计算，在此基础上对NO脱除路径与产物形态进行了理论分析。
     

湿法消解-ICP-AES测定核桃仁中的无机元素

用HNO3做消解剂湿法消解,电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定了核桃仁中的无机元素.通过加标回收率实验,说明了此方法的可靠性和准确度,表明只用硝酸消解核桃样品方法可靠、安全,为测定核桃仁的营养成分供了理论依据.     

Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for an InP planar Gunn diode

Mesa etching technology is considerably important in the Gunn diode fabrication process. In this paper we fabricate InP Gunn diodes with two different kinds of chlorine-based etchants for the mesa etching for comparative study. We use two chlorine-based etchants, one is HCl-based solution (HCl/H 3 PO 4 ), and the other is Cl 2 -based gas mixture by utilizing inductively coupled plasma system (ICP). The results show that the wet etching (HCl-based) offers low cost and approximately vertical sidewall, whilst ICP system (Cl 2 -based) offers an excellent and uniform vertical sidewall, and the over-etching is tiny on the top and the bottom of mesa. And the fabricated mesas of Gunn diodes have average etching rates of ～ 0.6 μm/min and ～ 1.2 μm/min, respectively. The measured data show that the current of Gunn diode by wet etching is lower than that by ICP, and the former has a higher threshold voltage. It provides a low-cost and reliable method which is potentially applied to the fabrication of chip terahertz sources.