一些高Tc超导体的弹性性质

 本文用超声相比较方法测定了高T_c超导体La_1.85Sr_0.15CuO₄，La₂CuO₄和YBa₂Cu₃O₇的纵波和横波声速，进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La_1.85Sr_0.15CuO₄样品上，还进行了压力实验，发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热c_V和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。     

新型金属间化合物R_2Fe_(17)N_(2.4)的结构与磁性

本文采用适当的热处理,使氮原子进入到R_2Fe_(17)的结构中去.利用X射线衍射、磁测量和中子衍射技术研究了R_2Fe_(17)N_(24)的晶体结构和内禀磁性及其之间的联系.中子衍射研究结果表明,氮原子在Th_2Zn_(17)型菱方结构中,占据9e间隙位置.氮的加入使晶胞体积增大、Curie温度升高;使铁原子3d电子正负能带电子数目差额扩大、饱和磁矩增强;并且氮原子对稀土晶位的晶场效应有重大影响,导致Sm_2Fe_(17)N_(24)具有易磁化轴.所有这些效应使得Sm_2Fe_(17)N_(24)具备了研制高矫顽力永磁体的内禀性能.     

荧光光纤温度传感器激励光源的选择

本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0～200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70～0.76μm之间选择。     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

电阻温度系数的微机测定系统

本文介绍一种电阻温度系数微机测定实验的系统。     

紫膜（BR）水溶液共振Raman光谱的温度相关性

本文报道了ＢＲ水溶性Ｒａｍａｎ光谱的温度相关性及吸收光谱变化。讨论了导致光谱变化的热诱导引起的结构变化。     

纳米二氧化锆制备过程的DSC、TGA和XRD研究

用ＤＳＣ、ＴＧＡ和ＸＲＤ技术研究了在沉淀法制备纳米ＺｒＯ２的过程中，残留ＮＨ４Ｃｌ、ｐＨ值、滴加方式、以及结构稳定剂Ｙ２Ｏ３的添加量对结晶过程的影响。结果表明，残留ＮＨ４Ｃｌ使结晶化温度降低，使放热过程变为吸热过程。而ｐＨ值、滴加方式和结构稳定剂的添加对结晶过程无明显影响。     

退火温度对钙钛矿型氧化物La0.68Pb0.32FeO3的结构及其乙醇气敏性能的影响

采用sol—gel法，分别在不同温度下退火2h，制得一系列纳米氧化物La0.68Pb0．32FeO3粉体，并测定了该材料对乙醇的气敏性能。随退火温度的升高，所得样品逐渐向单一钙钛矿结构转化。应用Scherrer公式对退火温度分别为200，400，600，800，1000℃的样品粒径进行了计算，样品粒径依次为11．5，13．6，16．4，20．0，25．3nm。这说明，随着退火温度的升高，样品粒径逐渐增大。对乙醇气敏性能的测定结果表明，随退火温度的升高，材料对乙醇的最佳灵敏度先升高、又降低，退火温度为800℃的样品最佳灵敏度达到51．7。