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91.
The photoluminescence (PL) characteristics of hybrid β-FeSi2/Si and pure β-FeSi2 films fabricated by pulsed laser deposition at 20 K are investigated. The intensity of the 1.54-μm PL from the former is enhanced, but the enhancement vanishes when the excitation wavelength is larger than the widened band gap of Si nanocrystal. Time-resolved PL decay measurements reveal that the lifetime of the photo-excited carriers in the hybrid β-FeSi2/Si film is longer than that in the pure β-FeSi2 film, providing evidence that the PL enhancement results from the resonant charge transfer from nanocrystalline Si to β-FeSi2.  相似文献   
92.
High-brightness and color-stable two-wavelength hybrid white organic light emitting diodes (HWOLEDs) with the configuration of indium tin oxide (ITO)/ N, N, N, N-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine (MeO-TPD): tetrafluoro-tetracyanoqino dimethane (F4-TCNQ)/N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidine (NPB)/ 4,4-N,N-dicarbazolebiphenyl (CBP): iridium (III) diazine complexes (MPPZ) 2 Ir(acac)/NPB/2-methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (MADN): p-bis(p-N,N-di-phenyl-aminostyryl)benzene (DSA-ph)/bis(10-hydroxybenzo[h] quino-linato)beryllium complex (Bebq2)/LiF/Al have been fabricated and characterized. The optimal brightness of the device is 69932 cd/m2 at a voltage of 13 V, and the Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates are almost constant during a large voltage change of 6-12 V. Furthermore, a current efficiency of 15.3 cd/A at an illumination-relevant brightness of 1000 cd/m2 is obtained, which rolls off slightly to 13.0 cd/A at an ultra high brightness of 50000 cd/m2. We attribute this great performance to wisely selecting an appropriate spacer together with effectively utilizing the combinations of exciton-harvested orange-phosphorescence/blue-fluorescence in the device. Undoubtedly, this is one of the most exciting results in two-wavelength HWOLEDs up to now.  相似文献   
93.
分析脉冲宽度调制(PWM)双通道输出白光LED的混合调光方法,建立PWM与混合光源输出的光通量和色温之间变化关系的非线性数学模型。基于Zig Bee无线通信模块CC2530作为双路PWM输出,控制以SN3350为核心的LED恒流驱动电源,完成占空比可调的暖白和冷白两路白光LED的色温和光通量混合调光控制系统设计,并通过高精度快速光谱辐射计HAAS-2000测试系统进行测试。实验结果表明,双路PWM能够较好地实现对LED色温和光通量的输出大小进行控制,混合光源相关色温在3 250~15 000 K范围内连续可调。理论计算与系统控制的光通量和色温存在的相对误差分别小于1.70%和8.50%。  相似文献   
94.
高光谱遥感被越来越多的应用于确定混合像元的地物组分和比例。将不同面积比例的植被-土壤混合像元作为研究对象,使用偏振装置和 ASD FieldSpec3 光谱仪得到植被-土壤组成的混合像元的偏振反射光谱曲线,计算得到八种植被指数值,讨论不同面积比例,不同偏振角度下植被-土壤混合像元的高光谱偏振特性。研究发现,随着叶片占混合像元面积比例的增大,植被-土壤光谱曲线越来越明显地表现出植被光谱“五谷四峰”的特性,且峰值与谷底的位置与植被光谱基本相同。偏振角越大,混合像元的光谱偏振反射比越大;混合像元条件下,植被所占混合像元的面积比例越大,光谱受偏振角的影响越大。各植被指数与混合像元中植被面积大小呈线性关系,其中植被衰减指数和改进红边归一化植被指数的相关系数最大,可以达到98%左右,适合用于建立植被指数与植被占混合像元面积比例之间的相关模型。在植被面积发生变化时,改进红边比值植被指数的灵敏性更好。在利用光谱吸收特征参数进行植被指数估算时,发现吸收谷深度与光化学植被指数的二次函数模型拟合度最强,决定系数R2为0.963 3;光谱吸收指数与光化学植被指数的二次函数模型拟合度最强,决定系数R2为0.960 5。  相似文献   
95.
随着新一代电子产品的复杂化和密集程度的不断提高,电路和系统的可测试性急剧下降,传统测试技术已经不能满足需要。针对我国军用电子设备的测试及诊断工作需求,通过对IEEE1149系列边界扫描测试标准进行了研究分析,分析各标准的特征范围、适用对象、各标准相互关系,可以分析梳理IEEE1149标准在我国军用电子设备测试性设计中的可行性和适用性,探索得到将边界扫描技术在测试性设计上的应用思路。将边界扫描技术应用于电子设备不同范围的测试设计,能有效地解决传统测试性设计的问题,能够提升诊断能力,缩减产品生产周期及研制费用。  相似文献   
96.
戚斌 《应用声学》2017,25(8):48-48
为了提高对混合架构下ORACLE数据的挖掘和查找速度,提出一种基于频繁项目集关联规则挖掘的数据快速查找方法。构建ORACLE数据的内部关联属性映射关系模型,在异质网络混合构架模式下,采用Graph OLAP数据仓库模型进行数据库检索的关系维度表,提取表达ORACLE数据属性信息的特征参量,通过同态标签检索方法,实现对目标数据的快速查找定位。仿真结果表明,采用该方法进行ORACLE数据查找的查准率和查全率较高,计算速度较快,性能优于传统方法。  相似文献   
97.
通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852 nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5 m A,输出的光谱线宽小于1 nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明,当温度变化范围为293~328 K时,阈值电流的变化速率为0.447m A/K,特征温度T0为142.25 K,输出的光功率变化率为0.63 m W/K。通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7 K/W,中心波长漂移速率是0.249 29 nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符。实验结果表明,该半导体器件在293~303 K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态。器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行。  相似文献   
98.
本文利用镜象法讨论了在不接地导体球壳附近有点电荷时,空间的电场分布和球壳表面上感应电荷的分布。  相似文献   
99.
在研究洗牌网局部互连光学实现问题的基础上 ,采用洗牌型图样间联想模型建立了具有完整的加权互连、求和、非线性处理及反馈功能的光电混合神经网络实验系统 ,进行了 8× 8数字样本的光学联想识别。实验结果证实了洗牌网理论的可行性和洗牌型图样间联想模型光学实现的优越性  相似文献   
100.
莫春兰  李鹏等 《光学学报》2002,22(2):81-185
用金必有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析,研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响。结果表明:合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN:Si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早,气流混合时间长,GaN:Si膜的黄带与发射强度之比较大,X射线双晶衍射半高宽;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚,尽管可减少预反应,但气流混合不均匀,致使GaN:Si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长、获得了光电及结晶性能良好的CaN:Si单晶膜。  相似文献   
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