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21.
本文利用[Ir(COD)(μ-Cl)]2与双膦螯合配位体之间的反应合成了三个新的配合物[Ir(COD)(diphos)]Cl(diphos=dmpe、depe、dppe),用IR、NMR、电导和元素分析测定了结构.以CH3CN为反应底物分别考察了它们活化sp^3C-H键的能力及其反应规律.在此基础上进一步研究了使CO、CO2插入生成的Ir-CH2CN键的可能性.结果表明:在温和条件下进行这一插入反应是可能的,并用光谱方法证实有相应的含羰基、羧基的金属配合物的生成. 相似文献
22.
采用密度泛函理论B3LYP方法研究了配体和配位数对乙烯插入杂双核(CO)4Cr(m-PH2)2RhH(Ln) (L=CO或PH3, n=1或2)配合物中Rh—H键反应的影响. 计算结果表明, 六配位乙烯复合物中乙烯与铑之间轨道相互作用主要为乙烯到铑中心的s供体相互作用; 而五配位乙烯复合物中乙烯与铑中心间相互作用涉及乙烯到铑中心的s供体相互作用和铑到乙烯的p反馈作用. PH3配体在热力学上不利于该反应. 处于氢配体对位的膦配体能加速乙烯插入反应. 乙烯插入的五配位反应途径占优势. Cr(CO)4部分的引入降低了乙烯插入反应的活化能. 相似文献
23.
24.
Let F= F(X) be a free group of rand n, A be a finite subset of F(X) and x∈X be a generator. The theorem states that x can be denoted as a rotation-inserting word of A if x is in the normal closure of A in F(X). Finally, an application of the theorem in Heegaard splitting of 3manifolds is given. 相似文献
25.
The word theorem states that x can be denoted as a rotation inserting word of A if x is in the normal closure of A in F(X). As an application of the theorem, in this note a condition that guarantees reducing the genus of Heegaard splitting of 3-manifolds is given. This leads Poincare conjecture to a new formulation. 相似文献
26.
27.
28.
本文采用XRD、XPS、及H_2—TPD技术对不同Cu/Co比的几个RaneyCu-Co催化剂进行了表征.并与反应醇选择性进行了关联.结果表明:RaneyCu-Co催化剂均由不同Cu/Co比的两个Cu-Co固溶体相组成,还原(H_2,563K,2h)前,表面除有Cu ̄0和Co ̄0外,尚有少量Cu ̄(+1)和显著量的Co ̄(+2)存在,还原后,Cu ̄(+1)几乎消失,Co ̄(+2)仍有一定量存在,在反应温度下(563K),CO和CO_2均能使表面Co ̄0部分氧化,且CO_2氧化能力大于CO,而合成气(H_2/CO=2)表现为还原的性质。三种气氛对Cu ̄0无明显影响。催化剂表面Cu/Co比高于体相Cu/Co比,表面Cu富集显著.RaneyCu-Co催化剂表面有四种吸氢中心:Cu(弱吸氢中心),高配位Co(弱吸氢中心),低配位Co(活化吸氢中心),及强吸氢中心;对不同催化剂,表面低配位Co中心的比例与醇选择性有一致的变化规律。基于上述结果,就CO播入中心进行了讨论。 相似文献
29.
合成了2,4-二羟基苯甲醛缩对硝基苯甲酰腙Cu(Ⅱ)配合物,通过红外、紫外、X-射线单晶衍射对其组成结构进行了表征。配合物属单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数为a=1.573 6(3)nm,b=0.715 82(14)nm,c=3.171 2(6)nm,β=96.631(3)°,V=3.548 3(12)nm3,Z=4,Dc=1.639 g.cm-3。配合物通过弱的分子间氢键C-H…O构筑三维结构。利用溴化乙锭(EB)荧光猝灭分析法研究了其与小牛胸腺DNA(ct-DNA)的相互作用。结果说明配合物与ct-DNA可能发生插入作用,是潜在的抗癌药物。 相似文献
30.
基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升。在35A/cm2的电流密度下,主波长为520nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6%和362.3mW,这是截至目前报道的最高记录。通过分析表明,其潜在的物理机制归结于p-AlGaN插入层能够提高空穴从V坑注入的效率。本文提供了一种有效提升发光效率的方法,尤其适合于含有V坑结构的InGaN/GaNLED。 相似文献