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21.
22.
利用对氧缺陷的TiO2-B材料进行密度泛函理论的计算,阐述了氧空穴对于TiO2-B材料的电化学性质的影响。计算研究主要聚焦于缺陷材料的锂离子迁移和电子导电性等基本问题。计算结果表明在低锂离子浓度下(x(Li/Ti)≤ 0.25),相比于无缺陷的TiO2-B,氧缺陷TiO2-B有着更高的插入电压和更低的b轴方向迁移活化能,意味着锂离子的嵌入也更容易,这对于可充电电池的充电过程是有利的。而在高浓度下(x(Li/Ti) = 1),锂饱和的氧缺陷TiO2-B相较于无缺陷的TiO2-B有着较低的插入电压,更有利于锂离子的脱嵌过程,这对于可充电电池的放电过程也是有利的。电子结构计算表明缺陷材料的禁带宽度在1.0-2.0 eV之间,低于无缺陷的材料的3.0 eV。主要态密度贡献者是Ti-Ov-3d,并且随着氧空穴的增加它的强度也变得更强。这就表明氧缺陷TiO2-B有更好的电子导电性。 相似文献
23.
白色的[Bu^tSAg]nPPh3溶于CS2中, 析出桔黄色晶体. 经X射线单晶结构分析其结构为(PPh3)2Ag(S2CSBu^t). 发现了一个CS2在Ag-S键中的插入反应. 此反应为可逆反应, 晶体在120-130℃失去CS2. 晶体属三斜晶系, 空间群P1,a=10.571(1), b=13.638(3), c=14.391(3)A, α=88.75(2), β=72.84(1), γ=80.58(1)°, V=1954.9A^3, Dc=1.36g/cm^3, Dm=1.36g/cm^3, Z=2. 3572个衍射点参与修正, R=0.045, Rw=0.043, Ag原子以变形四面体与硫代黄原酸配体Bu^tS-CS2的两个S原子及两个PPh3的P原子配位. 插入反应形成的CS3基团基本上共面, 其C-S键长比CS2中的键长明显加长, 而比单键的C-S键长要短, 并在红外光谱上出现特征吸收峰. 相似文献
24.
25.
26.
The word theorem states that x can be denoted as a rotation inserting word of A if x is in the normal closure of A in F(X). As an application of the theorem, in this note a condition that guarantees reducing the genus of Heegaard splitting of 3-manifolds is given. This leads Poincare conjecture to a new formulation. 相似文献
27.
Let F= F(X) be a free group of rand n, A be a finite subset of F(X) and x∈X be a generator. The theorem states that x can be denoted as a rotation-inserting word of A if x is in the normal closure of A in F(X). Finally, an application of the theorem in Heegaard splitting of 3manifolds is given. 相似文献
28.
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。 相似文献
29.
利用外张量场下的QCD求和规则计算了核子张量荷,其中核子插入场的核子流算符取最一般形式或称为非常规型,计算包括至维度8的项的贡献.详细分析了不同核子插入场及张量磁化率对计算核子张量荷求和规则的影响.计算表明,改变核子插入场及张量磁化率仍不能得到求和规则的稳定解,但如取最佳插入场的形式,对同位旋矢量和同位旋标量的求和规则解的稳定性有所改善.给出了在通常的对核子“QCD求和规则窗口”标度下核子张量荷的平均值. 相似文献
30.
采用密度泛函理论B3LYP方法研究了配体和配位数对乙烯插入杂双核(CO)4Cr(m-PH2)2RhH(Ln) (L=CO或PH3, n=1或2)配合物中Rh—H键反应的影响. 计算结果表明, 六配位乙烯复合物中乙烯与铑之间轨道相互作用主要为乙烯到铑中心的s供体相互作用; 而五配位乙烯复合物中乙烯与铑中心间相互作用涉及乙烯到铑中心的s供体相互作用和铑到乙烯的p反馈作用. PH3配体在热力学上不利于该反应. 处于氢配体对位的膦配体能加速乙烯插入反应. 乙烯插入的五配位反应途径占优势. Cr(CO)4部分的引入降低了乙烯插入反应的活化能. 相似文献