一次消解测定蔬菜中多种重金属的简捷方法

针对一般实验室检测人员少,检测任务重的问题,研究了蔬菜通过一次湿化消解后,消解液可以测定多种重金属元素的方法,大大提高了效率,减轻了工作量.     

数学物理方程中的通解问题

通过例证说明,通解法对于偏微分方程而言,其适用范围要比通常认为的大.并表明,只要适当变通,行波法就可用于有界情况.     

SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.     

用向量组共轭化方法改进Powell法

本文利用共轭化变换提高向量组共轭度的方法,对Powell法及修正Powell法作了改进。这一改进保持了原算法的二次终止性和关于连续可微严格凸函数的收敛性。文末用十六个公认的考机题检验了这一改进的效果。计算表明,改进后的Powell法及修正的Powell法比原算法收敛得快。     

矢量三角形法求解投掷问题中的最佳抛射角

本文采用矢量三角形法，可以极大地简化求解投掷问题的最佳抛射角计算过程．     

ICP-AES测定彩涂前处理表面调整转化层中Ti、Ni含量及钝化膜中Cr含量

采用电感耦合等离子体-原子发射光谱法同时测定彩涂前处理表面调整转化层中Ti、Ni含量及钝化膜中Cr含量.以表征表面调整转化层厚度及钝化膜厚度,采用本方法准确度高、快速简便,经试验结果令人满意.     

D—Wave Kondo Problem in a Square Tight—Bounding Lattice

A Kondo model in a square tight-bonding lattice of conduction electrons is considered.The Kondo interaction takes a d-wave.Using mean-field theory and numerical simulations,it is found that there is a pseudo-gap for the impurity density of states at the Fermi level.Numerical results also show that the exponents of the lowtemperature thermodynamic quantities are non-universal but dependent on the interaction.     

包含高阶摄动项的光学孤子演化方程的严格推导

利用奇异摄动多重尺度导数展开法,从非线性介质中的原始Maxwell方程组出发,导出了修正非线性schrdinger方程,给出了其不同形式的等价的两种表达式;同时还指出了Kodama利用约化微扰法推导此方程的不严格之处。     

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度