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991.
本文在n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P表面通过电子束蒸发Ni/Au/Ge/Ni/Au叠层金属并优化退火工艺成功制备了具有较低接触电阻的欧姆接触,其比接触电阻率在445℃退火600 s时达到1.4×10–4 W·cm2.二次离子质谱仪测试表明,叠层金属Ni/Au/Ge/Ni/Au与n-AlGaInP界面发生固相反应,Ga,In原子由于热分解发生外扩散并在晶格中留下Ⅲ族空位.本文把欧姆接触形成的原因归结为Ge原子内扩散占据Ga空位和In空位作为施主提高N型掺杂浓度.优化退火工艺对低掺杂浓度n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P的欧姆接触性能有显著改善效果,但随着n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P掺杂浓度提高,比接触电阻率与退火工艺没有明显关系.本文为n面出光的AlGaInP薄膜发光二极管芯片的n电极制备提供了一种新的方法,有望大幅简化制备工艺,降低制造成本. 相似文献
992.
利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题.鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对不满足质量期望的工艺参数进行部分正交分析,对全局优化的结果进行调整,得到最终的氮化硅镀膜的最优工艺参数.国内某光伏企业的验证试验表明了所提方法的有效性. 相似文献
993.
叶安祚 《南昌大学学报(理科版)》1982,6(2):1
<正> 一、引言众所周知,用GaAs制作MOSFET,在速度方面比用Si要优越得多,这是因为电子在GaAs中的迁移率是在Si中的五倍以上,而且GaAs的禁带宽度比Si的宽。早在1967年,已做出了几百兆周的GaAs MOSFET[1,2]。但是,后来的发展很慢。其根本原因在于很难做出具有良好界面性能的缘绝层 相似文献
994.
因煤层赋存条件和抽采技术水平限制,导致煤矿抽采瓦斯中甲烷(CH4)浓度偏低,而直接排空处理将造成清洁能源浪费和温室效应加剧,因此研究煤矿瓦斯中CH4提纯利用途径将对煤炭行业节能减排具有重要意义.相比于其它气体分离提纯技术,变压吸附分离技术具有操作简单、能耗低及工业化成熟度高等诸多优势.本文将以变压吸附分离技术提纯CH4为核心,重点论述了近些年吸附剂类型、吸附分离机制和分子动力学模拟等方面的研究进展,然后列举变压吸附提纯CH4工艺优化及工业大规模应用实例,最后结合基础研究和工程应用总结展望了变压吸附技术在CH4提纯领域的发展前景,并指出低浓度瓦斯(<10%CH4)提纯及真空变压吸附技术是为进一步提升煤矿瓦斯利用率而亟需攻坚克难的主要研究方向. 相似文献
995.
996.
997.
《影像科学与光化学》2021,39(1)
一.专著作者.书名[M].版本(第1版不著录).出版地:出版单位,出版年.起止页码.示例:[1]Griffiths L.Colour and Constitution of Organic Molecules[M].London:Academic Press,1976.25-32.[2]王德海,江棂.紫外光固化材料理论与应用[M].北京:科学出版社,2001.316-319. 相似文献
998.
999.
以天然大茴香醛和发酵丙酮为起始原料,通过Claisen-Schmidt反应、选择性加氢、脱甲基实验得到天然级覆盆子酮。通过单因素实验和正交实验研究了三步反应的较佳工艺条件为:第一步,在氢氧化钠的作用下,氢氧化钠、大茴香醛以及丙酮的投料比为0.28:1:3,40℃反应1.5 h;第二步,催化剂雷尼镍的用量为1%,氢气压力为0.3 MPa,30℃反应14 h;第三步,以48%的氢溴酸做为催化剂,冰醋酸为溶剂,130℃,反应4h,得到天然级覆盆子酮,总收率:75.75%(以大茴香醛计),含量:98.65%,香气纯正。通过熔点、IR和~1H NMR对最终产物进行了结构表征。此工艺的研究为类似结构不饱和酮的选择性加氢提供了实验依据,且产品总收率较高,成本低,适合工业化生产。 相似文献