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一、引言 1987年《大学物理》发表了测定电子荷质比e/m的各种方法的四篇文章。其中文献是在考虑空间电荷分布效应情况下导出r_k→0时电子运动轨迹的近似解,从而导出临界条件下测算电子荷质比的公式:e/m=(8u_a)/(r_a~2B_c~2)。并在注中说明A.W.Hull曾作过类似工作,得到结果与文献[1]完全一致,但推导方法有所不同。本文提出一种完整的推导方法,对历史上已有过的推导方法作了改进使之更符合实际。其主要改进之点为: (1)本文简化设想阴极具有电荷线密 相似文献
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在微波放电系统中,对NH_3-F-F_2-CF_3I体系进行研究,结果表明,向IF(X)传能的诸多媒介中,N_2(A)及N(~2D)起着主要作用,并且这一结论在经微波激发后的N_2与CF_3I的直接反应中得到了进一步证实。 相似文献
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Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 总被引:4,自引:0,他引:4 下载免费PDF全文
Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H. 相似文献
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A novel read-only memory (ROM) disc with an Ag11ln12Sb51Te26 super-resolution mask layer is proposed and investigated for the first time to our knowledge. The carrier-to-noise ratio of more than 40 dB could be obtained from small pits (380nm), which are below the readout resolution limit (400nm), in our dynamic setup with a wavelength of 632.8 nm and numerical aperture of 0.40. Dependences of carrier-to-noise ratio on readout power,readout velocity and film thickness are studied. The results show that the optimum film thickness is 20-50nm and the corresponding carrier-to-noise ratio is more than 40dB at readout power of 4mW and readout velocity of 2m/s in our experiment. The super-resolution readout mechanism for this ROM disc is also discussed. 相似文献
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