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81.
横向放大率法确定复合光学系统的基点 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了应用测量横向放大率确定两薄透镜组成的复合光学系统基点的方法。由于采用线阵光电耦合器件(CCD)测量物经光学系统成像的横向放大率,提高了测量精度。 相似文献
82.
利用旋涂法,通过接枝共聚的方法制备了具有偶氮侧基的聚氮酯高分子聚合物薄膜。并利用二倍频YAG激光(532nm)作为激发光,白光光源作为参考光,在室温下测试了该薄膜在激发光作用前后的吸收光谱,发现该薄膜在430nm-530nm内有较强的吸收。以及随着激光能量的增大和撤去激发光后,随着无光照时间的延长,360nm与500nm波长处吸收强度的变化趋势。 相似文献
83.
84.
描述某些厚透镜和透镜系统的初级特性。其光轴上的一些点与节点和主点有类似的特性。对这些点进行了分析,并叙述了它们的一些作用。 相似文献
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87.
88.
An erbium-doped phosphate glass fibre has been drawn by the rod-in-tube technique in our laboratory. The gain for the Er^3+-doped phosphate glass fibre with different pump powers and with different input signal wavelengths is investigated. The 2.2-cm-long fibre, pumped by a single-mode 980-nm fibre-pigtailed laser diode, can provide a net gain per unit length greater than 1.SdB/cm. The pump threshold is about 50mW at the wavelength of 1534nm, and below 70roW at 1550nm. The gain linewidth of the Er^3+-doped phosphate glass fibre is greater than 34 nm and can cover the C band in optical communication networks. 相似文献
89.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献
90.