低温液体输送系统间歇泉现象机理分析与消除措施

在低温液体输送系统的垂直管路中有可能发生间歇泉现象 ,对管路系统和液体储存都会产生不利影响。文中从气泡动力学、间歇泉循环过程、管路结构等方面对低温液体输送系统中出现的间歇泉现象进行了机理分析 ,介绍了几种消除间歇泉现象的措施 ,为进一步研究间歇泉现象提供了理论基础     

MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90％。     

一种快速的实用低温温度计定标方法

一种快速的实用低温温度计定标方法王长顺，邹义夫，郭加平，余保龙（河南大学物理系开封４７５００１）低温物理实验是近代物理学的重要课题，作为低温实验技术的基础实验，我们开设了实用低温温度计定标实验．在教学中，我们改进了低温均温体，利用快速的测量技术，使实...     

简立方格子上界面的自旋S（1）反铁Ising模型研究

本依据献［１］用自旋Ｓ（１）Ｉｓｉｎｇ模型研究了具有近邻（Ｊ１）和次近邻（ＲＪ１）相互作用的简立方格子的（１００）、（１１０）和（１１１０界面性质。在体内为反铁磁相互作用下，分析了界面的基态，并用Ｍ－Ｃ方法计算了界面的低温性质，给出了ＳＣ格子的三类Ｔ－Ｒ界相图，由此讨论了二类界面相变（宏观刻面和粗化）及其在氯化钠晶体界面上的应用。     

冰长石的标型特征及其在金矿找矿中的标志作用

通过对新疆石英滩金矿石中冰长石的标型特征的研究表明，冰长石是一种典型的低温热液矿物，它不仅是一种研究矿床成因的标型矿物，而且还是一个寻找低温热液型金矿床的标志物，在金矿找矿中具有重要的标志作用。     

推广的磁通活脱钉模型（EMTAD）中的中值能量问题

本文详细论证了推广的磁通热激活脱钉模型与一维周期势中布朗运动稳态解的一致性地利用中值定理引入截止能量ＥＣ可能带来的误差作了估计。     

低温液体流动沸腾数值计算中的相间传热模型

采用双流体模型预测了液氮在垂直管内的流动沸腾过程,着重考察和评价了五个常用的相间传热模型对数值计算结果的影响,找出了最优的相间传热模型;同时,研究还发现相间传热模型对流动压降的预测并无明显影响.     

库珀对何时不配对

在低温超导体中，电子并不是单个地进行运动，而是以弱耦合形式形成配对，一般称之为库珀对．形成库珀对的两个电子，一个自旋向上，另一个自旋向下．最近德国科学家D．Beckmann教授对库珀对的分离作了一些实验，他的实验表明库珀对中的电子可以在它们的有效作用距离内发生分离。     

低温差分化热的自动化测量系统

本介绍一种新的 差分比热测量方法即差分绝热连续加热量热法。此方法的特点是在绝热的条件下连续升温，升温速率由计算机通过样品架和参考样品架上的主加热器来控制（可事先设定），样品和参考样品间的温差信号经放大后由７０２控温器控制样品架和参考样品架上的副加热器，使其温差在测量过程中总是保持为零。差分比热值是通过同时测量样品升温速率和副加热功率来获得的，绝热条件是计算机控制内外两层辐射屏跟踪样品温度来获得。     

电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明，用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高，而且具有良好的（111）结晶取向性，晶粒尺寸大于300nm，样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理. 关键词： 电感耦合等离子体CVD Al诱导晶化 Si薄膜 低温生长